郑有炓
- 作品数：692 被引量：542H指数：10
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法及HEMT器件
- 本发明公开了一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，在生长完AlGaN/GaN HEMT结构后原位再外延一层InN保护层，当采用MOCVD再生长p‑GaN栅结构时在生长系统中先将InN保护层高温蒸发掉，再...
- 郭慧陈敦军刘斌王科谢自力张荣郑有炓
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- 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
- 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
- 张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
- 掺碳氮化镓的光学性质被引量：5
- 2002年
- 利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出现蓝移 ,E1(LO)声子的Raman强度变弱 .同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱 ,这与掺杂碳的自补偿效应有关 .高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降 .
- 叶建东顾书林王立宗张荣施毅郑有炓
- 关键词：氮化镓光学性质喇曼光谱光致发光谱
- 轻巧升降装置中的磁性止动机构
- 本发明公开了一种轻巧升降装置中的磁性止动机构，该磁性止动机构包括强磁性滑块组、滑动导轨、带挂耳的活动部件和调节滚轮，强磁性滑块组中的一对强磁性滑块分别吸附在滑动导轨的两侧，且该对强磁性滑块的N、S极相对设置；强磁性滑块组...
- 胡利群周惠君陈敦军郑有炓
- 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：3
- 2010年
- 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.
- 赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：GAN氢化物气相外延流体动力学
- 一种氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
- 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<S...
- 于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓施毅沈波顾书林江若琏韩平朱顺明胡立群叶宇达
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- 光导型GaN/Si探测器的研制被引量：7
- 2000年
- 采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明，4V以前为线性增加，5V后达到饱和。
- 江若琏席冬娟赵作明陈鹏沈波张荣郑有炓
- 关键词：响应度MOCVD
- 一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备
- 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气...
- 叶建东陈选虎任芳芳朱顺明汤琨顾书林郑有炓
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- 材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
- 本文采用低压MOCVD技术生长了AlGaN/GaN、AlGaN/AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性...
- 谢自力韩平施毅郑有炓张荣刘斌姬小利李亮修向前江若琏赵红龚海梅
- 关键词：布拉格反射镜薄膜生长汽相沉积
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- 横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法
- 本发明公开了一种横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状结构p‑GaN，与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n结横向n型沟道，再通过沟道厚度以及...
- 郭慧陈敦军张荣郑有炓
