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施毅

作品数：362 被引量：24H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 306篇专利
  • 32篇会议论文
  • 15篇期刊文章
  • 5篇科技成果
  • 4篇学位论文

领域

  • 71篇电子电信
  • 28篇一般工业技术
  • 11篇理学
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇化学工程
  • 4篇医药卫生
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 59篇衬底
  • 50篇半导体
  • 49篇纳米
  • 34篇气相外延
  • 32篇蓝宝
  • 32篇蓝宝石
  • 30篇氢化物气相外...
  • 27篇生长温度
  • 23篇激光
  • 22篇金属
  • 19篇氮化镓
  • 19篇导体
  • 17篇量子
  • 16篇单晶
  • 16篇淀积
  • 16篇铁电
  • 16篇半导体材料
  • 15篇晶体
  • 14篇纳米线
  • 13篇晶体管

机构

  • 361篇南京大学
  • 4篇苏州大学
  • 2篇南京大学(苏...
  • 1篇安徽医科大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇福建省立医院
  • 1篇广西壮族自治...
  • 1篇哈尔滨医科大...
  • 1篇贵州省人民医...
  • 1篇海南省人民医...
  • 1篇兰州大学第二...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇南方医科大学
  • 1篇南京医科大学
  • 1篇四川大学华西...

作者

  • 362篇施毅
  • 223篇张荣
  • 216篇郑有炓
  • 160篇韩平
  • 145篇修向前
  • 135篇谢自力
  • 120篇顾书林
  • 84篇朱顺明
  • 79篇胡立群
  • 76篇刘斌
  • 67篇江若琏
  • 59篇陈鹏
  • 56篇沈波
  • 42篇潘力佳
  • 40篇陆海
  • 38篇濮林
  • 38篇华雪梅
  • 32篇赵红
  • 28篇王欣然
  • 22篇毕朝霞

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇发光学报
  • 4篇第十六届全国...
  • 3篇第十七届全国...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第十届固体薄...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇2000年中...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇实用老年医学
  • 1篇高技术通讯
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  • 1篇中华实验和临...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇全国新材料及...
  • 1篇第四届全国信...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 1篇2024
  • 17篇2023
  • 20篇2022
  • 18篇2021
  • 21篇2020
  • 17篇2019
  • 20篇2018
  • 15篇2017
  • 8篇2016
  • 14篇2015
  • 9篇2014
  • 9篇2013
  • 12篇2012
  • 13篇2011
  • 23篇2010
  • 21篇2009
  • 25篇2008
  • 18篇2007
  • 20篇2006
  • 14篇2005
共 362 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
修向前李悦文张荣华雪梅谢自力陈鹏韩平陆海施毅郑有炓
文献传递
一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法
本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法，所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成，双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖，两层尺寸一致且边缘对齐，所述过渡金属硫族化合物...
王欣然刘蕾李涛涛施毅
一种实现硅表面结构平滑的方法与设备
一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降...
王刚施毅赵毅汪翌吴汪然孙家宝王军砖张荣郑有炓
文献传递
一种基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器及传感方法
基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器，包括平面薄膜状上表面具有微结构的柔性电介质材料，附着于所述柔性电介质材料上表面的图案化电极，附着于所述柔性电介质材料下表面图案化电极；所述柔性电介质材料、所述柔性电介质材料上表...
汪慧婷潘力佳施毅
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石墨烯负载多孔氧化镍及制法及在锂离子电池阳极材料的应用
石墨烯负载多孔氧化镍，NiO原位生长于功能化石墨烯(FGS)上，成纳米结构介孔。介孔氧化镍纳米颗粒尺寸范围为50nm～200nm，内部孔道大小约为2～10nm，NiO/FGS质量比1-5∶1，控制石墨烯表面多孔NiO颗粒...
徐子敬郑明波邱旦峰赵斌施毅
文献传递
一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法
一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH<Sub>3</Sub>和H...
张荣修向前俞慧强陈琳谢自力郑有炓顾书林江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
文献传递
琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫...
李毅张荣谢自力刘斌苏辉傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓
关键词：金属有机化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱琥珀色X射线衍射
文献传递
基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－5...
施毅鄢波濮林张匡吉韩平张荣郑有炓
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获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石...
张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
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单层石墨氟化的第一性原理分析：金属-半导体性的转变
单层石墨是理想二维晶体，具有奇特的狄拉克线性色散关系。另外，单层石墨的迁移率较高，具有成为下一代主要电子材料的潜力。单层石墨一般是金属性的，这限制了诸多微纳电子学的应用，所以单层石墨半导体化成为目前一个主要研究方向。研究...
朱震费哲潘力佳濮林张荣郑有炓施毅
关键词：广义梯度近似
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