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施毅
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374
被引量:30
H指数:3
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南京大学
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国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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合作作者
张荣
南京大学
郑有炓
南京大学
韩平
南京大学
修向前
南京大学
谢自力
南京大学
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一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
一种制备自支撑GaN衬底材料的方法,在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列,并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
修向前
李悦文
张荣
华雪梅
谢自力
陈鹏
韩平
陆海
施毅
郑有炓
文献传递
一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法
本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法,所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成,双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖,两层尺寸一致且边缘对齐,所述过渡金属硫族化合物...
王欣然
刘蕾
李涛涛
施毅
一种实现硅表面结构平滑的方法与设备
一种实现硅表面结构平滑的方法,步骤如下:通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间;基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热,在加热过程中加入氩气,氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象,在温度开始下降...
王刚
施毅
赵毅
汪翌
吴汪然
孙家宝
王军砖
张荣
郑有炓
文献传递
一种基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器及传感方法
基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器,包括平面薄膜状上表面具有微结构的柔性电介质材料,附着于所述柔性电介质材料上表面的图案化电极,附着于所述柔性电介质材料下表面图案化电极;所述柔性电介质材料、所述柔性电介质材料上表...
汪慧婷
潘力佳
施毅
文献传递
石墨烯负载多孔氧化镍及制法及在锂离子电池阳极材料的应用
石墨烯负载多孔氧化镍,NiO原位生长于功能化石墨烯(FGS)上,成纳米结构介孔。介孔氧化镍纳米颗粒尺寸范围为50nm~200nm,内部孔道大小约为2~10nm,NiO/FGS质量比1-5∶1,控制石墨烯表面多孔NiO颗粒...
徐子敬
郑明波
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赵斌
施毅
文献传递
一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法
一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法,利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底,铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后,升温至生长温度在800~950℃条件下,以NH<Sub>3</Sub>和H...
张荣
修向前
俞慧强
陈琳
谢自力
郑有炓
顾书林
江若琏
施毅
韩平
朱顺明
胡立群
文献传递
琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫...
李毅
张荣
谢自力
刘斌
苏辉
傅德颐
赵红
华雪梅
韩平
施毅
郑有炓
关键词:
金属有机化学气相沉积
INGAN/GAN
多量子阱
琥珀色
X射线衍射
文献传递
基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法,在硅晶片、二氧化硅、氮化硅,玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上;采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a-Si膜,所述的化学气相沉积包括在约450-5...
施毅
鄢波
濮林
张匡吉
韩平
张荣
郑有炓
文献传递
获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石...
张荣
修向前
徐剑
顾书林
卢佃清
毕朝霞
沈波
刘治国
江若琏
施毅
朱顺明
韩平
胡立群
文献传递
单层石墨氟化的第一性原理分析:金属-半导体性的转变
单层石墨是理想二维晶体,具有奇特的狄拉克线性色散关系。另外,单层石墨的迁移率较高,具有成为下一代主要电子材料的潜力。单层石墨一般是金属性的,这限制了诸多微纳电子学的应用,所以单层石墨半导体化成为目前一个主要研究方向。研究...
朱震
费哲
潘力佳
濮林
张荣
郑有炓
施毅
关键词:
广义梯度近似
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