张荣
- 作品数：824 被引量：586H指数：10
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器
- 本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成；其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射...
- 王枫秋秦嘉嵘孟亚飞黄磊黎遥徐永兵施毅祝世宁张荣
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- 一种GaN纳米结构阵列生长方法
- 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的...
- 修向前陈琳陈丁丁李悦文华雪梅谢自力张荣韩平陆海顾书林施毅郑有炓
- 单色光照射下非晶InGaZnO基薄膜晶体管的电学不稳定性
- 由于非晶InGaZnO (IGZO)基薄膜晶体管表现出了优越的电学性能,因此在作为液晶显示器和有机发光二极管显示器的驱动器件方面有着巨大的潜力,但是在器件的稳定性方面,仍然存在诸多问题.在本项工作中,我们发现在特定波长范...
- 于广黄晓明武辰飞张荣郑有炓陆海
- ZnMgO/ZnO异质结构的MOCVD生长、性质与器件应用
- ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体异质结构的制备也是研制半导体光电器件的核心和关键,因此...
- 顾书林朱顺明朱振邦黄时敏顾然张荣施毅郑有炓
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<Sub>...
- 于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
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- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材...
- 韩平于乐吴军王琦王荣华俞斐赵红胡立群华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- 柱状ZnO阵列薄膜的生长及其发光特性被引量：24
- 2006年
- 采用一种设备简单、原料低廉的新型方法,在镀有ZnO先驱薄膜的(0001)蓝宝石上利用水热法制备出了柱状ZnO阵列薄膜.用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)对样品的形貌和结构进行了表征,结果显示ZnO薄膜为柱状阵列,基于蓝宝石衬底沿c轴择优生长,且(0004)摇摆曲线半高宽度(FWHM)约为1·8°.此ZnO阵列薄膜具有很强的紫外发射光谱(PL).
- 刘红霞周圣明李抒智杭寅徐军顾书林张荣
- 关键词：水热法PL谱
- MOS结构界面性质的变频C-V研究
- 1990年
- 本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
- 王永生郑有炓张荣
- 关键词：MOSC-V法变频
- 一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
- 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（IC...
- 刘斌张荣庄喆葛海雄郭旭谢自力陈鹏修向前赵红陈敦军陆海顾书林韩平郑有炓
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- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
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