修向前
- 作品数：306 被引量：233H指数：7
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种GaN纳米结构阵列生长方法
- 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的...
- 修向前陈琳陈丁丁李悦文华雪梅谢自力张荣韩平陆海顾书林施毅郑有炓
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
- 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<Sub>...
- 于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
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- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材...
- 韩平于乐吴军王琦王荣华俞斐赵红胡立群华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
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- 一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
- 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（IC...
- 刘斌张荣庄喆葛海雄郭旭谢自力陈鹏修向前赵红陈敦军陆海顾书林韩平郑有炓
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- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
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- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- 一种立式氢化物气相外延生长系统
- 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中...
- 修向前张荣华雪梅谢自力韩平施毅顾书林胡立群郑有炓
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- 一种Fe<Sub>3</Sub>N材料的生长方法
- 一种Fe<Sub>3</Sub>N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N<Sub>2</Sub>、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度...
- 张荣谢自力陶志阔刘斌修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓
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- AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
- 2008年
- 利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC薄膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高;衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴;C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,研究表明在Al N/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。
- 吴军王荣华韩平梅琴刘斌谢自力修向前张荣郑有炓
- 制备高质量多孔GaN模板晶体的方法
- 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，使得外延的β‑Ga<Sub>2</Sub...
- 修向前施佳诚李悦文许万里陶涛张荣
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