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顾书林

作品数：325 被引量：335H指数：8
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 157篇专利
  • 114篇期刊文章
  • 45篇会议论文
  • 7篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 124篇电子电信
  • 44篇理学
  • 15篇一般工业技术
  • 9篇化学工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 60篇衬底
  • 39篇半导体
  • 30篇蓝宝
  • 29篇蓝宝石
  • 27篇气相外延
  • 27篇GAN
  • 26篇氢化物气相外...
  • 25篇纳米
  • 24篇氮化镓
  • 23篇淀积
  • 23篇生长温度
  • 23篇发光
  • 22篇MOCVD
  • 19篇退火
  • 18篇导体
  • 17篇MOCVD生...
  • 16篇气相淀积
  • 16篇化学气相淀积
  • 15篇探测器
  • 14篇光致

机构

  • 311篇南京大学
  • 11篇江苏省光电信...
  • 7篇安徽理工大学
  • 7篇中国科学院上...
  • 6篇中国矿业大学
  • 6篇徐州空军学院
  • 5篇桂林矿产地质...
  • 5篇中国科学院
  • 3篇南京电子器件...
  • 2篇金陵科技学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇聊城大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇南京信息工程...
  • 1篇枣庄学院
  • 1篇中国药科大学
  • 1篇美国威斯康辛...
  • 1篇广西民族师范...
  • 1篇南京大学扬州...

作者

  • 325篇顾书林
  • 225篇张荣
  • 214篇郑有炓
  • 185篇朱顺明
  • 156篇韩平
  • 129篇修向前
  • 120篇施毅
  • 107篇谢自力
  • 92篇胡立群
  • 85篇江若琏
  • 79篇沈波
  • 79篇叶建东
  • 64篇施毅
  • 44篇汤琨
  • 30篇陆海
  • 29篇毕朝霞
  • 29篇刘斌
  • 27篇陈鹏
  • 22篇王荣华
  • 21篇华雪梅

传媒

  • 24篇Journa...
  • 13篇固体电子学研...
  • 10篇物理学报
  • 10篇发光学报
  • 9篇高技术通讯
  • 7篇半导体技术
  • 7篇人工晶体学报
  • 5篇第五届届全国...
  • 5篇第十六届全国...
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇第十五届全国...
  • 4篇2000年中...
  • 3篇电子学报
  • 3篇原子与分子物...
  • 3篇功能材料
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇中国科学：物...
  • 3篇第十届固体薄...
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇材料导报

年份

  • 14篇2023
  • 10篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 11篇2012
  • 14篇2011
  • 6篇2010
  • 11篇2009
  • 37篇2008
  • 23篇2007
  • 26篇2006
  • 18篇2005
  • 21篇2004
共 325 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
文献传递
一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置
一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔...
朱顺明刘松民顾书林叶建东汤琨
文献传递
掺碳氮化镓的光学性质被引量：5
2002年
利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出现蓝移 ,E1(LO)声子的Raman强度变弱 .同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱 ,这与掺杂碳的自补偿效应有关 .高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降 .
叶建东顾书林王立宗张荣施毅郑有炓
关键词：氮化镓光学性质喇曼光谱光致发光谱
一种氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N<Sub>2</Sub>管道和NH<Sub>3</Sub>管道、设有金属镓源-HCl-N<S...
于英仪张荣修向前谢自力俞慧强郑有炓施毅沈波顾书林江若琏韩平朱顺明胡立群叶宇达
文献传递
一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备
本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气...
叶建东陈选虎任芳芳朱顺明汤琨顾书林郑有炓
文献传递
一种基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器
基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以AlN为缓冲层并外延生长GaN，然后在GaN层上生长Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Su...
江若琏郑有炓沈波张荣顾书林胡立群施毅韩平朱顺明赵作明陈鹏
文献传递
制备ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合衬底并在ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>上生长GaN薄膜的方法
ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合衬底的制备及ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底上GaN薄膜生长方法，先...
张荣毕朝霞王栩生修向前顾书林沈波施毅刘治国郑有炓江若琏朱顺明韩平胡立群
文献传递
ZnO短波长激光器若干关键技术研究
顾书林
该项成果发展了研制ZnO晶体、薄膜及发光器件的技术与方法，形成了一整套具有自主知识产权的技术，包括自行研制的ZnO单晶衬底、自行研制的ZnO金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统、ZnO材料的MOCVD同质外延技术、Zn...
关键词：
一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法
一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60...
谢自力张荣刘成祥韩平周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
文献传递
基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法。该偏振调制器包括超材料结构、ITO导电层、P型电极层、N型电极层和发光器件，其中，ITO导电层设于发光器件的表面，超材料结构和P型电极层位于ITO导电层上；超材料...
任芳芳张崇德叶建东张荣陆海顾书林
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