陶亚奇
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性被引量：2
- 2006年
- 用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象.
- 张开骁陈敦军沈波陶亚奇吴小山徐金张荣郑有炓
- AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质被引量：2
- 2006年
- 采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.
- 陶春旻陶亚奇陈诚孔月婵陈敦军沈波焦刚陈堂胜张荣郑有炓
- 关键词：二维电子气
- 半导体材料的高温霍尔测量方法及装置
- 半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封...
- 陈敦军陶亚奇吴卫国张荣郑有炓
- 文献传递
- Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构高温性质的研究
- 发展高频、高功率、高温微电子器件一直是半导体器件研究开发的重要目标。近年来，随着信息技术、特别是现代国防电子装备和移动通信这些高技术领域的迅猛发展以及器件使用环境的日益苛刻，对微电子器件的高频、高功率、高温、抗辐射、抗腐...
- 陶亚奇
- 关键词：二维电子气半导体器件宽禁带半导体
- GaN1-xPx三元合金的红外谱
- 2005年
- 对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中P组分比的增加,纵向光学声子-等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增宽,说明随着合金中P组分比的增加,LPP模式的耦合作用增加,阻尼增强.
- 陈敦军沈波许福军陶亚奇赵红张荣郑有炓
- 关键词：红外反射晶格振动
- 半导体材料的高温霍尔测量装置
- 半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封...
- 陈敦军陶亚奇吴卫国张荣郑有炓
- 文献传递
