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焦刚: 作品数：35 被引量：62H指数：4; 供职机构：南京电子器件研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

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凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT被引量：2: 2007年; 研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.; 陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓; 关键词：宽禁带半导体场板

Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管被引量：1: 2004年; 讨论了采用埋栅结构实现 Ga As基改性高电子迁移率晶体管 (MHEMT)增强型模式工作的有关问题 ,提出了增强型 MHEMT的设计与实现方法 .通过不同金属 (Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究 ,确定在增强型 MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的 Pt Schottky埋栅结构 ;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究 .在此基础上通过实验研制的原理性 1.0 μm× 10 0 μm Pt栅增强型 MHEMT的特性获得了夹断电压为 +0 .12 V,跨导为 4 70 m S/ m m及截止频率为 5 0 GHz的测试结果 ,优于使用同一外延片制作的; 陈效建吴旭李拂晓焦刚; 关键词：MHEMT 增强型稳定性

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT被引量：14: 2004年; 报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al Ga N / Ga N HEMT在 1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为 2 8.93d Bm,输出功率密度达到 3.9W/mm ,功率增益为 15 .5 9d B,功率附加效率 (PAE)为 4 8.3% .在 6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为 2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为 2 .5 W/ mm ,功率增益为 10 .2 4 d B,PAE为 35 .2 % .; 陈堂胜焦刚薛舫时曹春海李拂晓; 关键词：宽禁带半导体 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管

Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：7: 2010年; 文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。; 孙春妹钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰高涛; 关键词：GAN 功率管内匹配

蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT研究: 报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化。研制的200...; 焦刚陈堂胜薛舫时李拂晓; 关键词：宽禁带半导体 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管

14W X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC(英文)被引量：6: 2008年; 报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势.; 陈堂胜张斌任春江焦刚郑维彬陈辰; 关键词：X波段 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管功率MMIC

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT: 利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异...; 任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜; 关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌; 文献传递

基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估被引量：3: 2011年; 报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖特基特性依然保持稳定。随后的高温工作寿命试验表明,该GaN HEMT能够经受225°C结温500 h的工作而未发生失效,但器件的饱和电流出现了退化,进一步的分析表明引起器件饱和电流下降的主要原因是电迁徙引起的欧姆退化。针对电迁徙现象进行了相关工艺的改进,对改进后器件的三温加速寿命试验表明,器件在150°C结温下平均失效时间(MTTF)达4×105h,激活能为1.0 eV。将研制的GaN HEMT管芯用于了两级级联结构的C波段功率模块,对研制的功率模块在28 V工作电压125°C结温下进行了射频工作寿命试验,增益压缩5 dB下连续波工作1 000 h后输出功率变化量小于0.1 dB。; 蒋浩任春江陈堂胜焦刚肖德坚; 关键词：高电子迁移率晶体管场板

金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：12: 2002年; 用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相。; 周慧梅沈波周玉刚刘杰郑泽伟钱悦张荣施毅郑有炓曹春海焦刚陈堂胜; 关键词：欧姆接触界面固相反应金属

2～11GHz GaN HEMT功率MMIC被引量：1: 2009年; 陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江; 关键词：MMIC HEMT 高电子迁移率晶体管微波单片集成电路输出阻抗