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罗台秦

作品数：8 被引量：16H指数：2
供职机构：香港科技大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇SOI
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇再结晶
  • 2篇锗化硅
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇SIGE异质...
  • 2篇SIGE异质...
  • 2篇硅
  • 2篇MOSFET
  • 2篇场效应
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇熔化
  • 1篇全耗尽
  • 1篇全耗尽SOI
  • 1篇阈电压
  • 1篇微机械
  • 1篇微机械系统

机构

  • 8篇清华大学
  • 4篇香港科技大学
  • 1篇台湾交通大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇钱佩信
  • 8篇罗台秦
  • 3篇侯东彦
  • 3篇张进书
  • 3篇张鹏飞
  • 2篇杨景铭
  • 2篇金晓军
  • 2篇陈培毅
  • 1篇战长青
  • 1篇付军
  • 1篇刘理天
  • 1篇梁春广
  • 1篇王煜
  • 1篇王于辉
  • 1篇田立林
  • 1篇贾宏勇
  • 1篇钱伟
  • 1篇王庆海
  • 1篇高颖

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇电子学报

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟被引量：2
1995年
本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。
王煜张鹏飞侯东彦钱佩信罗台秦
关键词：计算机模拟I-V特性场效应晶体管
适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片被引量：7
1997年
双金属效应是一种基本的物理效应，这一效应在硅微机械装置上的应用，有力地弥补了硅材料不具备压电效应，电信号难以直接转换为机械驱动力的缺陷。本文将介绍我们研制的铝硅双金属膜片．膜片尺寸为4mm×4mm×（20μm单晶硅＋10μm金属铝）．实验和分析结果表明，铝硅双金属膜片具有优越的力学特性，能提供足够大的动力和位移。这种集成的单片驱动结构不仅在材料及工艺上与IC工艺完全兼容，而且通过调整有关结构参数及工艺参数，可使该结构在5伏电压下稳定工作，为实现硅微机械系统（MEMS）奠定了基础．这种驱动方式是目前制造微阀门、微流量泵等需要大动力、大位移的硅微机械及其系统的理想驱动结构．
战长青罗台秦刘理天钱佩信
关键词：硅微机械系统MEMS
全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型被引量：2
1996年
本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。
付军田立林钱佩信罗台秦
关键词：全耗尽MOSFET阈电压场效应器件
熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
1994年
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：再结晶硅
900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性被引量：4
1999年
本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ．
张进书金晓军贾宏勇陈培毅钱佩信罗台秦杨增敏黄杰梁春广
关键词：双极晶体管功率特性异质结
超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p^+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析被引量：1
1998年
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．
张进书金晓军钱佩信罗台秦
关键词：锗化硅
红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
1994年
本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：SOI再结晶熔化多晶硅
准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
1998年
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
张进书钱伟陈培毅钱佩信罗台秦王于辉孙同乐王庆海高颖梁春广冯明宪林其渊
关键词：异质结双极晶体管锗化硅HBT
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