金晓军
- 作品数：12 被引量：18H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 超高真空化学气相淀积外延系统
- 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
- 文献传递
- GexSi1-x/Si化学气相异质外延反应机理的研究
- 金晓军
- 超高真空化学气相淀积外延系统
- 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
- 文献传递
- 不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：4
- 1998年
- Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
- 钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信
- 关键词：锗化硅HBT应变层
- 900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性被引量：4
- 1999年
- 本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ．
- 张进书金晓军贾宏勇陈培毅钱佩信罗台秦杨增敏黄杰梁春广
- 关键词：双极晶体管功率特性异质结
- InP-H_2-KBH_4体系中磷的热力学分析、检测及治理被引量：2
- 1994年
- 用热力学计算了InP-H_2-KBH_4体系中磷的组分与温度的关系,从理论上探讨了用气相色谱分析固相中磷的可能性。建立了不经化学预处理,用气相色谱直接测定固、液、气相样品中的磷及其磷化物的方法,测定结果与分光光度法基本一致。用逆向喷淋的方法对半导体工艺尾气中的磷进行了有效的治理。
- 闻瑞梅陈朗星金晓军
- 关键词：热力学计算磷气相色谱
- SiGe HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响被引量：2
- 1998年
- 本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越高的器件，虽然直流增益得到很大提高，但伴随着器件更容易发生载流子碰撞电离引起的基极电流反向和大注入下的基区push-out效应，同时器件共射击穿电压BVCEO也会大大的降低．由于在不同的电路中对器件的性能要求是不同的。
- 钱伟金晓军张进书陈培毅林惠胜钱佩信
- 关键词：双极晶体管雪崩击穿
- 超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p^+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析被引量：1
- 1998年
- 本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．
- 张进书金晓军钱佩信罗台秦
- 关键词：锗化硅
- Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究
- 1999年
- 为了研制出高性能的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结器件，生长出适合器件应用的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）设备，研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度以及组份随ＧｅＨ４流量的变化规律。实验结果表明：Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度随ＧｅＨ４流量明显增加，且外延层中Ｇｅ与Ｓｉ组份的比值约是气相中的ＧｅＨ４与ＳｉＨ４分压比值的２．５倍。提出了一个简单的生长动力学模型，解释了组份与流量的关系。Ｒａｍａｎ谱分析结果表明外延层为完全应变的。利用该材料制作出了性能良好的二极管。
- 金晓军贾宏勇张进书钱伟韩勇刘荣华林惠旺陈培毅钱佩信
- Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析被引量：1
- 1997年
- 结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．
- 金晓军梁骏吾
- 关键词：流体力学半导体
