钱伟
- 作品数：13 被引量：16H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 公开发行公司证券不实陈述的董事、高管民事责任
- 钱伟
- 关键词：不实陈述民事责任董事责任
- 微波低噪声SiGe HBT的研制被引量：6
- 2000年
- 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。
- 钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信
- 关键词：低噪声锗化硅HBT晶体管
- 不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：4
- 1998年
- Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
- 钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信
- 关键词：锗化硅HBT应变层
- 反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用被引量：1
- 1998年
- 本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．
- 张炯李瑞伟钱伟
- 关键词：ICNMOSFET
- 一种聚吡咙/磺化聚合物复合质子交换膜材料及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种聚吡咙/磺化聚合物复合质子交换膜材料及其制备方法。该复合质子交换膜材料是按照下述步骤的方法制备的：1)在惰性气氛保护下，使芳香四胺单体、芳香二酐单体及催化剂在磺酸盐聚合物溶液中进行原位聚合反应，得到含有聚...
- 尚玉明王要武谢晓峰王金海王树博钱伟
- 文献传递
- 一种聚吡咙/磺化聚合物复合质子交换膜材料及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种聚吡咙/磺化聚合物复合质子交换膜材料及其制备方法。该复合质子交换膜材料是按照下述步骤的方法制备的：1)在惰性气氛保护下，使芳香四胺单体、芳香二酐单体及催化剂在磺酸盐聚合物溶液中进行原位聚合反应，得到含有聚...
- 尚玉明王要武谢晓峰王金海王树博钱伟
- 文献传递
- SiGe微波低噪声异质结双极晶体管的研究
- 该文在国内首先研制出了微波低噪声SiGe HBT.利用3μm工艺条件制得的器件,特征频率达到8GHz;600MHz工作频率下的最小噪声系数小于1.05dB,相关功率增益大于12dB;1000MHz工作频率下的最小噪声系数...
- 钱伟
- 关键词：锗硅合金异质结晶体管
- 一种无机材料杂化的聚苯并咪唑质子交换膜的制备方法
- 本发明公开了属于燃料电池的零部件范围的一种无机材料杂化的聚苯并咪唑质子交换膜的制备方法。将杂多酸与氧化铈混合物与聚苯并咪唑进行掺杂，制备杂化质子交换膜材料，然后通过流延法成膜。本发明所制备的质子交换膜具有良好的尺寸稳定性...
- 谢晓峰钱伟王树博毛宗强
- 文献传递
- 准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
- 1998年
- 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
- 张进书钱伟陈培毅钱佩信罗台秦王于辉孙同乐王庆海高颖梁春广冯明宪林其渊
- 关键词：异质结双极晶体管锗化硅HBT
- 基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法被引量：1
- 2000年
- 利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络参数和物理参数相结合 ,来对器件的最小噪声系数进行计算和分析 .
- 钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信
- 关键词：微波晶体管噪声网络分析
