贾宏勇
- 作品数：14 被引量：31H指数：4
- 供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 微波低噪声SiGe HBT的研制被引量：6
- 2000年
- 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。
- 钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信
- 关键词：低噪声锗化硅HBT晶体管
- 采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构(英文)
- 2001年
- 采用新近研制的高真空 /快速热处理 /化学气相淀积 (HV/ RTP/ CVD)系统生长了应变 Si Ge材料 .通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料 .Ge组分可以变化至 0 .2 5 ,可以得到控制良好的 n型和 p型掺杂层 ,适用于异质结双极型晶体管 (HBT)的制作 .研究了 Si Ge HBT的 n- Si/ i- p+ - i Si Ge/ n- Si结构 .所制作出的微波 HBT性能良好 。
- 贾宏勇林惠旺陈培毅钱佩信
- 关键词：化学气相淀积HBT锗化硅高真空
- SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
- 2002年
- 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
- 康爱国孟祥提王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBTSIBJT
- UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
- 2001年
- 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。
- 朱培喻陈培毅黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信
- 关键词：SIGE合金UHV/CVD拉曼光谱分析半导体薄膜
- 用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)被引量：1
- 2002年
- 报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下 ,电源电压为 4 V工作时 ,1d B压缩点输出功率 (P1 d B)为 2 4 d Bm,输出功率三阶交截点(TOI)为 39d Bm.最大的功率附加效率 (PAE)和在 1d B压缩点的功率附加效率分别达到 34%和 2 5 % .处理 CDMA信号时的邻道功率抑制超过 4 2 d Bc,符合 IS95标准 .
- 贾宏勇刘志农李高庆钱佩信
- 关键词：无线通信锗硅异质结双极型晶体管微波功率放大器
- 辐照对SiGe HBT增益的影响
- 2007年
- 比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.
- 孟祥提王吉林黄强贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBT电子辐照Γ射线辐照BJT直流增益
- 从Si<,1-x>Ge<,x>材料到Si<,1-x>Ge<,x>/Si异质结晶体管的研制
- 该论文首先综述了异质结器件的基本理论,SiGe材料的性质、生长方法、异质结双极型晶体管(HBT)器件设计、工艺及微波应用等方面的问题.应变SiGe外延层的生长是器件研究的第一步.采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV...
- 贾宏勇
- 关键词：SIGE异质结双极型晶体管
- 文献传递
- 基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法被引量：1
- 2000年
- 利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络参数和物理参数相结合 ,来对器件的最小噪声系数进行计算和分析 .
- 钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信
- 关键词：微波晶体管噪声网络分析
- Si_(1-x)Ge_x材料和双极型器件的进展被引量：7
- 1999年
- Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Ｓｉ１－ｘＧｅｘ同Ｓｉ集成的ＢｉＣＭＯＳ工艺取得了很大的发展，已经达到了工业应用的水平。Ｓｉ１－ｘＧｅｘ工艺的发展，电路速度的提高，也促进了微波集成电路的进步，提高了ＳｉＭＭＩＣ的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（ＲＦ）通信中广泛应用的阶段。
- 贾宏勇孙自敏陈培毅
- 关键词：SI1-XGEXHBT微波器件双极晶体管
- HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延被引量：4
- 2001年
- 研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm- 3的多层阶梯结构 ,各层掺杂浓度均匀 ,过渡区约 2 0 nm,在整个外延层 ,Ge组分 (x=0 .2 0 )均匀而稳定 .PH3掺杂外延速率随 PH3流量增加而逐渐下降 ;P浓度在 PH3流量约为 1.7sccm时达到了峰值 (约 6× 10 1 8cm- 3) .分别按 PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究 PH3掺杂
- 刘志农贾宏勇罗广礼陈培毅林惠旺钱佩信
- 关键词：硅锗化硅
