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侯东彦

作品数：9 被引量：6H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 4篇超大规模集成
  • 4篇超大规模集成...
  • 4篇大规模集成电...
  • 3篇退火
  • 3篇半导体
  • 3篇SOI
  • 2篇再结晶
  • 2篇退火设备
  • 2篇离子注入
  • 2篇高频加热
  • 1篇电激活
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇熔化
  • 1篇升温速率
  • 1篇石英
  • 1篇双门
  • 1篇热处理温度

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇侯东彦
  • 9篇钱佩信
  • 5篇陈必贤
  • 5篇林惠旺
  • 4篇李志坚
  • 3篇马腾阁
  • 3篇张鹏飞
  • 3篇罗台秦
  • 2篇杨景铭
  • 1篇王煜

传媒

  • 3篇电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1988
  • 1篇1987
  • 1篇1986
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
离子注入半导体瞬时退火设备
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
文献传递
超大规模集成电路快速热处理技术被引量：4
1992年
本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.
钱佩信侯东彦林惠旺徐立
关键词：集成电路退火
SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟被引量：2
1995年
本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。
王煜张鹏飞侯东彦钱佩信罗台秦
关键词：计算机模拟I-V特性场效应晶体管
半导体快速热处理系统的石英腔
半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源，并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题，双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板，使半导体片的升温速率加快，并...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
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离子注入半导体瞬时退火设备
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
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熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
1994年
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：再结晶硅
红外快速热处理设备
红外快速热处理设备，属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成，微机自...
钱佩信侯东彦陈必贤林惠旺李志坚
文献传递
VLSI快速红外热处理设备
钱佩信侯东彦陈必贤
关键词：超大规模集成电路计算机控制感应加热设备
红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
1994年
本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：SOI再结晶熔化多晶硅
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