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张鹏飞

作品数：19 被引量：3H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇再结晶
  • 8篇SOI
  • 4篇硅膜
  • 3篇半导体
  • 2篇熔化
  • 2篇疏水
  • 2篇疏水表面
  • 2篇区域熔化
  • 2篇微结构
  • 2篇微结构研究
  • 2篇细胞
  • 2篇细胞检测
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇基底表面
  • 2篇交叉污染
  • 2篇半导体材料
  • 2篇硅
  • 2篇超疏水
  • 2篇超疏水表面
  • 2篇超疏水材料

机构

  • 17篇清华大学
  • 3篇北京有色金属...
  • 1篇北方交通大学
  • 1篇中建科工集团...
  • 1篇国网上海市电...
  • 1篇清华四川能源...

作者

  • 19篇张鹏飞
  • 12篇钱佩信
  • 3篇李永洪
  • 3篇侯东彦
  • 3篇邵贝羚
  • 3篇罗台秦
  • 3篇刘安生
  • 2篇杨景铭
  • 2篇刘鹏
  • 2篇林惠旺
  • 2篇边升太
  • 2篇张健雄
  • 1篇柳连俊
  • 1篇蔡林
  • 1篇王煜
  • 1篇刘峥
  • 1篇田果成

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇第六届全国电...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第八次全国电...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2011
  • 2篇1995
  • 4篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于多时段网络流的能源互联网双向拍卖优化调控方法
本发明涉及能源互联网优化技术领域，具体而言，涉及一种基于多时段网络流的能源互联网双向拍卖优化调控方法，包括：获取市场成员申报信息以及配电网相关信息，建立基于最大化社会福利的目标优化函数；将优化问题转化为最小费用最大流问题...
刘宇尘夏清张鹏飞
熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
1994年
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：再结晶硅
SOI晶体质量分析技术
1993年
本文评述了腐蚀金相技术、物理化学技术和电学测试技术等晶体质量分析手段,研究了这些方法在SOI晶膜检测中的应用,对于SOI质量鉴定和SOI工艺评价具有实用价值。
张鹏飞钱佩信
关键词：半导体材料SOI晶体质量
定域无缺陷SOI的制备
1992年
两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。
张鹏飞钱佩信
关键词：SOI晶粒间界半导体材料
田湾核电站严重事故源项估算简化研究
张鹏飞
关键词：核电NPP
绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究
1994年
绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近年发展起来的一种新型的超大规模集成...
刘安生邵贝羚李永洪张鹏飞钱佩信
关键词：集成电路绝缘衬底硅再结晶
SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟被引量：2
1995年
本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。
王煜张鹏飞侯东彦钱佩信罗台秦
关键词：计算机模拟I-V特性场效应晶体管
一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用
本发明公开了一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用。该超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层，所述微坑阵列层上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。所述超疏水微坑阵列芯片可为：1)微坑以外的表面为超疏水表面，超疏水微坑阵列...
刘鹏张鹏飞张健雄边升太程一淳
文献传递
定域再结晶SOI的透射电镜研究
1995年
高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构（Ｈｅａｔ－ＳｉｎｋＳｔｒｕｃ－ｔｕｒｅ）ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）硅薄膜具有［１００］取向，其缺陷被限制在厚ＳｉＯ２层上的硅膜中，使薄的ＳｉＯ２层上的硅膜成为无缺陷单晶区，宽度可达５０μｍ以上，在缺陷聚集区观察到的缺陷主要是小角度晶界，绝大多数晶界的取向差都在３°之内．其类型多为混合型晶界，也观察到少量的扭转型和倾斜型晶界．缺陷聚集区中的位错或位错网络的走向是各种各样的，但其位错的柏氏矢量．
刘安生邵贝羚李永洪刘峥张鹏飞钱佩信
关键词：SOI再结晶透射电镜硅薄膜
红外区熔再结晶SOI技术研究
张鹏飞钱佩信林惠旺
关键词：硅膜再结晶石墨区域熔化
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