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张进书

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇锗化硅
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇SIGE异质...
  • 2篇SIGE异质...
  • 2篇超高真空
  • 1篇功率
  • 1篇功率特性
  • 1篇固熔体
  • 1篇硅锗
  • 1篇发射区
  • 1篇SI
  • 1篇SI结构
  • 1篇UHV
  • 1篇CVD
  • 1篇HBT
  • 1篇N-
  • 1篇I

机构

  • 4篇清华大学
  • 3篇香港科技大学
  • 1篇台湾交通大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇张进书
  • 4篇钱佩信
  • 3篇金晓军
  • 3篇陈培毅
  • 3篇罗台秦
  • 2篇贾宏勇
  • 2篇钱伟
  • 1篇梁春广
  • 1篇王于辉
  • 1篇林惠旺
  • 1篇韩勇
  • 1篇王庆海
  • 1篇高颖
  • 1篇刘荣华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
1998年
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
张进书钱伟陈培毅钱佩信罗台秦王于辉孙同乐王庆海高颖梁春广冯明宪林其渊
关键词：异质结双极晶体管锗化硅HBT
900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性被引量：4
1999年
本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ．
张进书金晓军贾宏勇陈培毅钱佩信罗台秦杨增敏黄杰梁春广
关键词：双极晶体管功率特性异质结
超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p^+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析被引量：1
1998年
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．
张进书金晓军钱佩信罗台秦
关键词：锗化硅
Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究
1999年
为了研制出高性能的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结器件，生长出适合器件应用的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）设备，研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度以及组份随ＧｅＨ４流量的变化规律。实验结果表明：Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度随ＧｅＨ４流量明显增加，且外延层中Ｇｅ与Ｓｉ组份的比值约是气相中的ＧｅＨ４与ＳｉＨ４分压比值的２．５倍。提出了一个简单的生长动力学模型，解释了组份与流量的关系。Ｒａｍａｎ谱分析结果表明外延层为完全应变的。利用该材料制作出了性能良好的二极管。
金晓军贾宏勇张进书钱伟韩勇刘荣华林惠旺陈培毅钱佩信
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