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石柱

作品数:15 被引量:18H指数:3
供职机构:西南技术物理研究所更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 6篇探测器
  • 4篇雪崩
  • 4篇铟镓砷
  • 4篇芯片
  • 4篇光电
  • 4篇二极管
  • 2篇带隙
  • 2篇电池
  • 2篇雪崩二极管
  • 2篇噪声
  • 2篇四象限
  • 2篇太阳电池
  • 2篇像元
  • 2篇激光
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇光电二极管
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏面
  • 2篇光学

机构

  • 15篇西南技术物理...

作者

  • 15篇石柱
  • 11篇覃文治
  • 8篇代千
  • 6篇王鸥
  • 5篇谢和平
  • 3篇李潇
  • 2篇余丽波
  • 2篇向秋澄
  • 2篇何伟
  • 2篇柯尊贵
  • 2篇余晨辉
  • 2篇张伟
  • 2篇宋海智
  • 1篇钱煜
  • 1篇郭勇
  • 1篇苏洁梅
  • 1篇刘小会
  • 1篇邓慧中
  • 1篇周小燕
  • 1篇李丰

传媒

  • 6篇红外与激光工...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2006
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器被引量:9
2018年
针对900~1 700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(ASIC)组成。该器件采用飞行时间(TOF)测距的方式工作,APD光敏芯片将脉冲激光信号转化成脉冲光电流,读出电路对其进行放大、阈值比较后实现激光探测并在每个单元获取光脉冲的飞行时间,将其转化成二进制编码信号后串行输出。测试结果表明,64×64 LM-APD-FPA有效像元最小可探测光功率值约为400 nW,时间分辨率为1 ns。用该探测器在激光雷达系统上实现了无扫描单脉冲激光三维成像,表明了线性模式激光焦平面探测器可用于激光三维成像领域。
李潇石柱代千覃文治寇先果袁鎏刘期斌黄海华
关键词:焦平面阵列铟镓砷三维成像
多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片
本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法,其包括,在同一铟镓砷外延晶片上,分布有四个光敏探测区,每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中...
覃文治谢和平石柱代千张伟
文献传递
双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
本发明涉及一种双层掺杂层硅基薄膜太阳电池,在p型与n型掺杂层中,与本征层相邻较近的层的光学带隙比相邻较远的层的光学带隙大,但其带隙差值不大于0.45eV。双层掺杂层结构光学带隙的不同是按照匹配原理来排列不同材料实现,或改...
余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
文献传递
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器被引量:3
2010年
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器上,同时封装在一个带光窗的金属壳体中。中心雪崩探测器和四象限探测器的电压响应度、响应时间、等效噪声功率分别为:2.5×105 V/W(1 550 nm)和0.95×104 V/W(1 550 nm);7 ns和20 ns;0.15×10-12 W/Hz1/2和4×10-12 W/Hz1/2,象限间串扰小于3%,象限内不均匀性小于5%。这种探测器可同时用于人眼安全激光测距、激光定位和跟踪。
石柱何伟覃文治向秋澄
关键词:INGAAS
双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池,在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中,与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大,但其带隙差值不大于0...
余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
文献传递
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量:5
2015年
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法。设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验。结果表明:对于准200μm的SPAD,在过偏2 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)准20 k Hz;对于准50μm的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 k Hz。最后对实验结果进行了分析和讨论。
纪应军石柱覃文治代千冯万鹏胡俊杰
关键词:工作温度电场分布
2μm激光探测器的设计和制备
2006年
通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和 CO_2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标。根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计。其外延材料采用了 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)系列结构。为了减小暗电流和噪声,器件结构借用InGaAs 雪崩管的分离吸收区和倍增区结构,把 PN 结放在具有宽带隙的 InAs_(1-y)P_y 中,光吸收在窄带隙的In_(1-x)Ga_xAs 中。最后,简略介绍了该器件的制备工艺和技术。
石柱王鸥
关键词:激光探测器
2μm激光探测器的设计和制备
通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和CO2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标.根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计.其外延材料采...
石柱王鸥
关键词:光电二极管暗电流噪声
文献传递
焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法
本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法,采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中,利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟...
谢和平覃文治石柱代千邓慧中
文献传递
一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法
本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法,它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源,采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散...
覃文治谢和平陈庆敏刘源齐瑞峰代千石柱
文献传递
共2页<12>
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