李潇
- 作品数：17 被引量：13H指数：2
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管的增益-噪声特性被引量：1
- 2016年
- 重点研究了多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管(APD)的增益和过剩噪声,建立了新的载流子增益-过剩噪声模型。在常规弛豫空间理论基础上分析了其工作原理,考虑了预加热电场和能带阶跃带来的初始能量效应、电子进入高场倍增区时异质结边界附近的弛豫空间长度修正以及声子散射对碰撞离化系数的影响,提出了用于指导该类APD的增益-过剩噪声计算的修正弛豫空间理论。结果表明:在相同条件下,相比于常规的单层倍增SAGCM结构,多级倍增超晶格InGaAsAPD同时具有更高增益和更低噪声,且修正的弛豫空间理论可被推广到更多级倍增的超晶格InGaAsAPD结构,在保证低噪声前提下,通过增加倍增级数可提高增益。
- 戴萌曦李潇石柱代千宋海智汤自新蒲建波
- 关键词：APD碰撞电离
- 多象限光电探测器高低温测试系统
- 本发明一种多象限光电探测器高低温测试系统，用于测试多象限光电探测器在高低温条件下的电参数。它包括，一个电连接直流稳压电源的示波器，内置测试夹具的高低温箱，在示波器与所述高低温箱之间，电连接有一个带有选通控制面板的选通电路...
- 钱煜余永琦周小燕苏洁梅王鸥李潇郭勇周红轮何伟祁祖峰向秋澄柯尊贵刘从吉胡卫英
- 文献传递
- 小型化焦平面阵列测试数据采集和显示系统设计方法
- 本发明涉及一种小型化焦平面阵列测试数据采集和显示系统设计方法，其中，包括：S1、确定焦平面阵列测试数据采集和显示系统的总体架构；S2、在下位机中，对SoC芯片中的FPGA部分进行数字逻辑设计，提供焦平面阵列所需的工作时序...
- 袁鎏李潇黄海华孔繁林路小龙柯尊贵周小燕
- 文献传递
- 基于焦平面阵列解码数据的多目标模糊检测系统
- 本发明涉及一种基于焦平面阵列解码数据的多目标模糊检测系统，属于电子产品测试技术领域。与传统的纯FPGA实现胶合逻辑的方法相比，本发明提出的系统对硬件功能的划分更加明确，FPGA仅用于时序控制，而将传统胶合逻辑的功能分配到...
- 袁鎏张楠王林青李潇黄海华孔繁林路小龙
- APD阵列及其成像激光雷达系统的研究进展被引量：3
- 2023年
- 激光雷达(LiDAR)广泛应用于航天器导航、安防监控、3-D测绘、自动驾驶汽车、军事装备及机器人等领域,具有重要的军事和民用价值。雪崩光电二极管(APD)阵列探测技术在LiDAR的发展过程中发挥着至关重要的作用。介绍了LiDAR和APD阵列的应用背景,综述了APD阵列和LiDAR系统的发展历程和最新进展,最后总结了APD阵列探测技术的发展前景和研究趋势。
- 李兵杨赟秀李潇呙长冬寇先果孔繁林袁鎏郑博仁
- 关键词：激光技术激光雷达探测器自动驾驶汽车
- 64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器被引量：11
- 2018年
- 针对900~1 700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(ASIC)组成。该器件采用飞行时间(TOF)测距的方式工作,APD光敏芯片将脉冲激光信号转化成脉冲光电流,读出电路对其进行放大、阈值比较后实现激光探测并在每个单元获取光脉冲的飞行时间,将其转化成二进制编码信号后串行输出。测试结果表明,64×64 LM-APD-FPA有效像元最小可探测光功率值约为400 nW,时间分辨率为1 ns。用该探测器在激光雷达系统上实现了无扫描单脉冲激光三维成像,表明了线性模式激光焦平面探测器可用于激光三维成像领域。
- 李潇石柱代千覃文治寇先果袁鎏刘期斌黄海华
- 关键词：焦平面阵列铟镓砷三维成像
- 一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构
- 本发明提出一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构，该有源区结构采用有载流子再平衡设计和短注入区设计。本发明能够进一步提高有源区中的光学限制因子，有源级联区中的光学限制因子相应提高，增加器件的增益；使得电子和空穴的阈值...
- 黄帅蒋若梅谭杨谢修敏徐强孔樊林李潇路小龙宋海智
- 两种APD模式焦平面阵列在非扫描激光三维成像雷达中的运用
- 本文对目前国际上的研究热点-基于焦平面阵列的非扫描激光三维主动成像雷达中的核心器件---APD焦平面阵列作了简要介绍。介绍了APD的两种工作模式:线性和盖革模式;分析了采取不同工作模式时,探测器性能的对比和信号读取方式的...
- 李潇周红轮覃文治王鸥
- 关键词：APD焦平面阵列非扫描盖革模式
- 文献传递
- 一种提高硅APD制结工艺精度的方法
- 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；...
- 邓杰王鸥李潇郝昕余丽波谢修敏刘从吉宋海智
- 具有高吸收系数的二维材料异质结结构及其建模分析方法
- 本发明公开了一种具有高吸收系数的二维材料异质结结构，其包括4层，自上而下依次为：单层二维材料I、单层二维材料II、单层二维材料I、单层二维材料II；二维材料I为硒化铂PtSe<Sub>2</Sub>，二维材料II为二硫化...
- 蒋若梅黄帅谭杨谢修敏徐强张伟袁菲李潇宋海智
