代千
- 作品数：29 被引量：23H指数：4
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金四川省重点科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺核科学技术理学更多>>
- 铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN...
- 代千龚赤坤覃文治李宛励陈庆敏梁丕刚舒域鑫谢和平潘旭谢骞王国胜郝昕周小燕刘源田洪军宋海智
- 单光子探测器的研究进展被引量：5
- 2022年
- 单光子探测器能够探测极微弱光信号,具有较高的灵敏度,在民用和国防领域都有广泛的应用。近年来,随着科学技术的飞速发展,在传统光电探测器件不断优化和改进的同时,其它新型光电探测器件也得到了极大发展且取得了重要技术成果。为深入了解单光子探测器的技术发展现状和趋势,总结了目前具有代表性的单光子探测器在研究现状、技术难点和最新技术突破等方面的关键信息,分析了光电倍增管和雪崩光电二极管等传统单光子探测器的优势与不足以及之后的技术发展方向,同时还介绍了超导纳米线单光子探测器和基于新型2维材料的雪崩光电二极管等几类具有良好光电性能和巨大发展潜力的新型单光子探测器,并对其发展前景进行了展望。
- 程碑彤代千谢修敏徐强张杉宋海智
- 关键词：探测器单光子光电倍增管雪崩光电二极管超导
- 一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
- 本发明公开了一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构，其包括：本底，本底上形成有狭缝或者二维孔阵列；本底上为狭缝时，相邻狭缝距离渐变且成周期性变化；本底上为二维孔阵列时，相邻列孔间距渐变且成周期性变化，相邻行孔间距渐变且...
- 谢修敏宋海智徐强代千陈剑袁鎏张伟余丽波
- 文献传递
- 锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的研究进展被引量：4
- 2020年
- 基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况,介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化物Ⅱ类超晶格探测器的部分性能指标已接近、甚至超过了碲镉汞探测器,并在部分红外装备上得到了应用。而基于锑化物Ⅱ类超晶格的雪崩光电探测器件在中远红外弱光探测领域尚处于起步阶段,与碲镉汞探测器相比还有很大差距,但同时也呈现出了巨大的发展潜力。
- 谢修敏徐强陈剑周宏代千张伟胡卫英宋海智
- 关键词：探测器锑化物雪崩光电探测器
- 光电量子器件研究进展(封面文章·特邀)
- 2024年
- 量子科技的发展多年来得到了光电技术的有力支撑,笔者团队由此进行了一系列光电量子器件的研究和开发。为在光纤量子通信中实现单光子信号的按需产生,笔者设计了几种微纳柱型光腔-量子点单光子源;发展了频分复用技术,研制了高纯度、高全同的宣布式单光子源;利用GaN缺陷的单光子特性,制备了室温量子随机数发生器。笔者优化周期极化铌酸锂的级联波导结构设计,大幅提升了通信波段量子纠缠光源性能,使保真度高于97%,噪声特性提高10倍;设计和制备Si3N4微环腔纠缠源器件,实现了99%的干涉可见度,展示了芯片集成量子光源的技术可行性;应用所制备的纠缠光源,实现了数十千米光纤基量子密钥分发和量子隐形传态。笔者发展了单光子探测器制造工程,研制了用于太阳光谱量子测量的低噪声高速雪崩单光子探测器和用于量子成像的128×32及以上规模的雪崩焦平面单光子探测器。笔者制备了光纤基量子存储器,实现了1 650个光子模式的有效存储;研究了光机械量子器件的原理机制,探索了纳米光机电系统用于量子精密测量的技术前景。希望以上综述为未来量子信息网络的发展提供研究参考和技术储备。
- 宋海智张子昌周强邓光伟代千代千
- 关键词：光电子学量子器件量子信息量子纠缠量子网络
- 激光焦平面探测器
- 1.本外观设计产品的名称：激光焦平面探测器。;2.本外观设计产品的用途：用于金属陶瓷混合PGA封装非制冷激光焦平面探测器，主要用于激光三维成像探测。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或...
- 刘期斌李潇代千黄海华张伟童静
- 基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器
- 本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜...
- 代千程碑彤邓杰杨瑞雨罗国凌陈剑黄海华庞树帅黄帅蒋若梅谭扬宋海智
- 一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构
- 本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波...
- 潘旭刘绍斌柯尊贵陈剑代千覃文治谢骞
- 多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管的增益-噪声特性
- 2016年
- 重点研究了多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管(APD)的增益和过剩噪声,建立了新的载流子增益-过剩噪声模型。在常规弛豫空间理论基础上分析了其工作原理,考虑了预加热电场和能带阶跃带来的初始能量效应、电子进入高场倍增区时异质结边界附近的弛豫空间长度修正以及声子散射对碰撞离化系数的影响,提出了用于指导该类APD的增益-过剩噪声计算的修正弛豫空间理论。结果表明:在相同条件下,相比于常规的单层倍增SAGCM结构,多级倍增超晶格InGaAsAPD同时具有更高增益和更低噪声,且修正的弛豫空间理论可被推广到更多级倍增的超晶格InGaAsAPD结构,在保证低噪声前提下,通过增加倍增级数可提高增益。
- 戴萌曦李潇石柱代千宋海智汤自新蒲建波
- 关键词：APD碰撞电离
- 用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量：5
- 2015年
- 重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法。设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验。结果表明:对于准200μm的SPAD,在过偏2 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)准20 k Hz;对于准50μm的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 k Hz。最后对实验结果进行了分析和讨论。
- 纪应军石柱覃文治代千冯万鹏胡俊杰
- 关键词：工作温度电场分布
