覃文治
- 作品数：20 被引量：18H指数：3
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>
- 铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN...
- 代千龚赤坤覃文治李宛励陈庆敏梁丕刚舒域鑫谢和平潘旭谢骞王国胜郝昕周小燕刘源田洪军宋海智
- 两种APD模式焦平面阵列在非扫描激光三维成像雷达中的运用
- 本文对目前国际上的研究热点-基于焦平面阵列的非扫描激光三维主动成像雷达中的核心器件---APD焦平面阵列作了简要介绍。介绍了APD的两种工作模式:线性和盖革模式;分析了采取不同工作模式时,探测器性能的对比和信号读取方式的...
- 李潇周红轮覃文治王鸥
- 关键词：APD焦平面阵列非扫描盖革模式
- 文献传递
- 焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法
- 本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中，利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟...
- 谢和平覃文治石柱代千邓慧中
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- 多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片
- 本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中...
- 覃文治谢和平石柱代千张伟
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- 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
- 本发明涉及一种双层掺杂层硅基薄膜太阳电池，在p型与n型掺杂层中，与本征层相邻较近的层的光学带隙比相邻较远的层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0.45eV。双层掺杂层结构光学带隙的不同是按照匹配原理来排列不同材料实现，或改...
- 余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
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- 一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构
- 本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波...
- 潘旭刘绍斌柯尊贵陈剑代千覃文治谢骞
- 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
- 本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池，在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中，与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0...
- 余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
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- 用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量：5
- 2015年
- 重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法。设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验。结果表明:对于准200μm的SPAD,在过偏2 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)准20 k Hz;对于准50μm的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 k Hz。最后对实验结果进行了分析和讨论。
- 纪应军石柱覃文治代千冯万鹏胡俊杰
- 关键词：工作温度电场分布
- 64×64 InGaAs/InP三维成像激光焦平面探测器被引量：9
- 2018年
- 针对900~1 700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与CMOS专用读出电路(ASIC)组成。该器件采用飞行时间(TOF)测距的方式工作,APD光敏芯片将脉冲激光信号转化成脉冲光电流,读出电路对其进行放大、阈值比较后实现激光探测并在每个单元获取光脉冲的飞行时间,将其转化成二进制编码信号后串行输出。测试结果表明,64×64 LM-APD-FPA有效像元最小可探测光功率值约为400 nW,时间分辨率为1 ns。用该探测器在激光雷达系统上实现了无扫描单脉冲激光三维成像,表明了线性模式激光焦平面探测器可用于激光三维成像领域。
- 李潇石柱代千覃文治寇先果袁鎏刘期斌黄海华
- 关键词：焦平面阵列铟镓砷三维成像
- 一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法
- 本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法，它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源，采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散...
- 覃文治谢和平陈庆敏刘源齐瑞峰代千石柱
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