谢和平
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片
- 本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中...
- 覃文治谢和平石柱代千张伟
- 文献传递
- 低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管被引量：2
- 2017年
- 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。
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- 关键词：INGAASP/INP
- 一种电热丝保鲜膜切割器
- 本实用新型提出一种电热丝保鲜膜切割器，包括基板、支撑脚、电池盒、定位架、背板、隔板、盒盖、盒盖把手、前导轴杆、后导轴杆、固定轴支撑板、固定轴杆卡环、固定轴杆、下压导轴杆、电热丝切割装置、发光二极管、充电插座、顶升曲柄支撑...
- 覃文治覃迹棠邓晓兰田洪军谢和平刘源陈庆敏
- 具有指端效应的声表面波换能器导纳计算
- 本文给出一个以指条重叠长度计算声表面波换能器的导纳公式。其形式与W.Soluch公式一样,但作了频率因子的修正。利用该公式可以进行具有指端效应修正的换能器导纳计算。D.Morgan公式计算结果相当于本文公式在指端效应修正...
- 曾伦谢和平邓慧中邓克强陈建益
- 关键词：声表面波换能器导纳
- 文献传递
- 铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN...
- 代千龚赤坤覃文治李宛励陈庆敏梁丕刚舒域鑫谢和平潘旭谢骞王国胜郝昕周小燕刘源田洪军宋海智
- 声表面波滤波器瞬态响应的分析
- 利用声表面波滤波器的频率响应特性对其瞬态响应特性进行了计算分析。表明脉冲信号经声表面波滤波器输出的瞬态特性呈现的波动主要来源于滤波器的冲激响应的旁瓣。
- 曾伦谢和平邓慧中邓克强陈建益
- 关键词：声表面波滤波器瞬态响应
- 文献传递
- 焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法
- 本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中，利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟...
- 谢和平覃文治石柱代千邓慧中
- 文献传递
- 高性能声表面波滤波器体波抑制研究
- 本文研究高性能SAW滤波器中体波干扰对阻带抑制的影响。通过选取适当基片背面粗糙度，及适当硬度的粘接剂获得了满意体波抑制效果。
- 谢和平曾伦邓慧中邓克强陈建益
- 关键词：声表面波滤波器阻带抑制
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- 声表面波滤波器瞬态响应的分析
- 利用声表面波滤波器的频率响应特性对其瞬态响应特性进行了计算分析。表明脉冲信号经声表面波滤波器输出的瞬态特性呈现的波动主要来源于滤波器的冲激响应的旁瓣。
- 曾伦谢和平邓慧中邓克强陈建益
- 关键词：声表面波滤波器瞬态响应频率响应响应特性瞬态特性冲激响应
- 文献传递
- 一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法
- 本发明公开了一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，该方法采用分步制备的方式，其步骤包括：一、准备干净的半导体衬底材料；二、在所述半导体衬底上制备一层满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅；三、在所述富氮型氮化硅上制备一层...
- 田洪军覃文治陈庆敏齐瑞峰刘源谢和平
- 文献传递
