您的位置： 专家智库 > >

郭浩

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇禁带
  • 4篇晶体
  • 4篇光子
  • 4篇光子禁带
  • 4篇光子晶体
  • 4篇硅基
  • 4篇二维光子
  • 4篇二维光子晶体
  • 3篇低温退火
  • 3篇退火
  • 3篇介质柱
  • 3篇衬底
  • 2篇氧化物
  • 2篇探测器
  • 2篇近红外探测器
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇晶圆
  • 2篇键合
  • 2篇红外

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇王盛凯
  • 7篇郭浩
  • 7篇刘洪刚
  • 7篇常虎东
  • 6篇张雄
  • 5篇韩乐
  • 5篇薛百清
  • 4篇陈洪钧
  • 3篇孙兵
  • 3篇赵威
  • 2篇李运
  • 1篇刘桂明
  • 1篇王虹

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种低温晶圆键合方法
本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对...
刘洪刚李运王盛凯张雄郭浩孙兵常虎东赵威
文献传递
一种低温晶圆键合方法
本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对...
刘洪刚李运王盛凯张雄郭浩孙兵常虎东赵威
文献传递
一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法
本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...
刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明
文献传递
一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
文献传递
一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
文献传递
一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
文献传递
一种硅基锗外延结构及其应用
本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0