王哲
- 作品数：7 被引量：19H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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- 新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
- 2005年
- 提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管 (SiGeHBT) ,该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2 的方法来改善器件的高频性能 .将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较 ,发现新结构器件的基区 集电区电容减少了 5 5 % ,因而使器件的最大有效增益提高了大约 2dB ,其工作在低压(Vce=4 5V)和高压 (Vce=2 8V)情况下的最高振荡频率分别提高了 2 4 %和 10 % .
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- 关键词：HBT最高振荡频率
- 一种新的隔离结构表面平坦化技术被引量：3
- 2002年
- 为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀。
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- 关键词：反应离子刻蚀湿法腐蚀
- SiGe异质结微波功率晶体管被引量：2
- 2002年
- 本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。
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- 关键词：SIGE
- GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真
- 2001年
- 针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 。
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- 关键词：版图功率开关管
- 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：11
- 2001年
- 提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比
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- 关键词：仿真IGBT晶体管
- 一种高性能的新结构IGBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分 .虽然在正常工作条件下 ,该新结构 IGBT工作于穿通状态 ,但器件仍具有非穿通 IGBT( NPT- IGBT)的优良特性 .该新结构 IGBT具有比 NPT- IGBT更薄的芯片厚度 ,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷 .实验结果表明 :与 NPT- IGBT相比较 ,新结构 IGBT的功率损耗降低了
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- 关键词：缓冲层NPT-IGBT
- 高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
- 2001年
- 对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .
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- 关键词：开关晶体管
