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肖波
作品数:
5
被引量:3
H指数:1
供职机构:
北京工业大学
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发文基金:
北京市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
王哲
北京工业大学电子信息与控制工程...
吴郁
北京工业大学电子信息与控制工程...
亢宝位
北京工业大学电子信息与控制工程...
赵耀
北京工业大学
秦振平
北京工业大学
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作者
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肖波
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李钒
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吴郁
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王哲
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王峰
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杨蕊
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秦振平
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新结构微波功率SiGe HBT的仿真研究
该论文重点是通过二维器件仿真来分析新结构微波功率SiGe HBT的性能特点,为器件的优化提供充足的条件.仿真器件的结构有两种,主要的不同在于集电区的厚度(0.5μm和4.5μm),工作电压分别为V<,CE>=4.5V和2...
肖波
关键词:
最高振荡频率
文献传递
一种聚烯烃锂离子电池隔膜改性方法
一种聚烯烃锂离子电池隔膜改性方法,属于锂离子电池隔膜领域。将步骤1)预处理的聚烯烃隔膜浸渍于含钙盐的聚阳离子电解质溶液中,10~100min后,取出洗净,再浸渍于含硅酸钠的聚阴离子电解质溶液中10~100min,这样,在...
秦振平
王峰
肖波
杨蕊
李钒
郭红霞
赵耀
文献传递
一种聚烯烃锂离子电池隔膜改性方法
一种聚烯烃锂离子电池隔膜改性方法,属于锂离子电池隔膜领域。将步骤1)预处理的聚烯烃隔膜浸渍于含钙盐的聚阳离子电解质溶液中,10~100min后,取出洗净,再浸渍于含硅酸钠的聚阴离子电解质溶液中10~100min,这样,在...
秦振平
王峰
肖波
杨蕊
李钒
郭红霞
赵耀
文献传递
新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
2005年
提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管 (SiGeHBT) ,该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2 的方法来改善器件的高频性能 .将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较 ,发现新结构器件的基区 集电区电容减少了 5 5 % ,因而使器件的最大有效增益提高了大约 2dB ,其工作在低压(Vce=4 5V)和高压 (Vce=2 8V)情况下的最高振荡频率分别提高了 2 4 %和 10 % .
刘亮
王玉琦
肖波
亢宝位
吴郁
王哲
关键词:
HBT
最高振荡频率
SiGe异质结微波功率晶体管
被引量:2
2002年
本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。
王哲
亢宝位
肖波
吴郁
程序
关键词:
SIGE
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