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吴郁

作品数：121 被引量：102H指数：5
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家电网公司科技项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 53篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 76篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 32篇晶体管
  • 22篇二极管
  • 22篇IGBT
  • 18篇绝缘栅
  • 17篇双极晶体管
  • 17篇槽栅
  • 14篇集电极
  • 13篇多晶
  • 13篇绝缘栅双极晶...
  • 13篇内透明集电极
  • 12篇半导体
  • 11篇多晶硅
  • 10篇JFET
  • 9篇载流子
  • 9篇快恢复二极管
  • 8篇单粒子
  • 8篇多晶硅栅
  • 8篇芯片
  • 8篇硅栅
  • 8篇仿真

机构

  • 121篇北京工业大学
  • 7篇国网智能电网...
  • 2篇国家电网公司
  • 2篇香港科技大学
  • 2篇深圳吉华微特...
  • 2篇国网河北省电...
  • 2篇全球能源互联...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 121篇吴郁
  • 64篇胡冬青
  • 55篇贾云鹏
  • 42篇亢宝位
  • 27篇周新田
  • 13篇程序
  • 11篇田波
  • 7篇张彦飞
  • 7篇王哲
  • 7篇游雪兰
  • 6篇韩峰
  • 5篇刘钺杨
  • 5篇单建安
  • 5篇张惠惠
  • 4篇李蕊
  • 4篇穆辛
  • 4篇李兴鲁
  • 3篇魏峰
  • 3篇吴立成
  • 3篇王浩

传媒

  • 13篇电力电子
  • 8篇Journa...
  • 7篇半导体技术
  • 5篇电力电子技术
  • 4篇北京工业大学...
  • 4篇2014`全...
  • 3篇中国集成电路
  • 2篇电子科技
  • 2篇电子器件
  • 2篇变频器世界
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇智能电网
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇2011’全...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 3篇2024
  • 9篇2023
  • 6篇2022
  • 7篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 7篇2010
  • 11篇2009
  • 8篇2008
  • 3篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2005
共 121 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高剂量轻离子辐照感生缺陷汲取铂的试验研究
研究2×1016 cm-2剂量氦注入感生缺陷形成的高浓度空位,分别在700℃／100min、700℃／100min+900℃／60min和 700℃／100min+1000℃／100min等退火条件下形成的纳米空腔在80...
胡冬青亢宝位吴郁韩宝东
文献传递
600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真研究
本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构...
张惠惠胡冬青吴郁贾云鹏周新田穆辛
关键词：绝缘栅双极晶体管性能表征
文献传递
功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量测试仿真对比
功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲...
屈静吴郁胡冬青贾云鹏匡勇苏洪源李蕊
文献传递
一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法
本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管...
贾云鹏夏天周新田赵元富胡冬青吴郁
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化.通过高能电子辐照和扩铂对1200V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子...
赵豹贾云鹏吴郁胡冬青周璇李哲谭健
关键词：快恢复二极管电子辐照性能表征
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究被引量：1
2007年
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%。
田波亢宝位吴郁韩峰
一种逆阻IGBT的终端结构
一种逆阻IGBT的终端结构属于半导体领域，目前存在的终端面积过大，成本过高的现状，并且影响芯片的散热。针对这种情况提出了一种能够减小终端面积且不影响它耐压能力的终端结构。其特征在于：n环数量为一个；n环的两侧各有30—4...
吴郁李龙飞王立昊孙婉茹
用多晶硅做寿命控制层的内透明集电极IGBT制造方法
用多晶硅做寿命控制层的内透明集电极IGBT制造方法属于半导体器件领域。本发明采用多晶硅层做局域载流子寿命控制层，并利用圆片直接键合工艺将衬底与有源区连结起来，再在表面制造类功率MOS结构，最终制造出一种具有内透明集电极的...
吴郁亢宝位贾云鹏胡冬青
文献传递
一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构
本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面...
周新田李明伟贾云鹏胡冬青吴郁
GaN基功率器件技术及其对未来与太阳能电网关联的高效微逆变器、功率优化器和组串逆变器的影响被引量：1
2010年
GaN基功率器件技术正在快速发展,其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性,并且其优值(FOM)较Si基器件有非常显著的改善,GaN功率产品注定会对未来高效光伏太阳能逆变器/变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗,所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起,可以缩小系统尺寸,并推动大规模的商业化生产。本文介绍了G a N基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势,以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC/DC和DC/DC拓扑的实测结果和仿真实例。
Alberto GuerraJason Zhang刘钺杨李兴鲁吴郁
关键词：光伏太阳能功率技术逆变器GAN优化器
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