胡冬青
- 作品数：99 被引量：60H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 采用优化的腐蚀工艺对TiSi_2接触特性的改善
- 2009年
- 针对传统TiSi_2工艺中RCA1(NH_4OH:H_2O_2:H_2O)溶液对于TiN/Ti与TiSi_2的选择性不好会造成硅化物的损失、提高接触电阻的问题,提出一种采用2次选择性腐蚀的工艺方法进行改善.通过具体的工艺实验证明,与传统工艺方法相比,该工艺方法可以在保持低漏电流的前提下,有效减少TiSi_2的损失,使得方块电阻降低约18%.该工艺方法具有简单易行的特点,适用于大规模工业生产.
- 田波吴郁胡冬青亢宝位
- 关键词：TISI2
- 内透明集电极IGBT短路特性研究被引量：1
- 2011年
- 内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上"屏蔽"厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。
- 胡冬青吴郁贾云鹏
- 关键词：内透明集电极短路特性IGBT
- 仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善
- 2011年
- 本文在分析了单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。之后仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可以提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可以改善器件二次击穿电,据此提出变掺杂缓冲层结构,仿真了其准静态击穿特性,并与单缓冲层和三缓冲层结构进行了比较,结果显示,变掺杂缓冲层结构是各种缓冲层结构中最优的一种。具体优化结果与缓冲厚度和浓度分布有关。优化缓冲层厚度和掺杂浓度,可在导通特性和抗SEB之间达到最佳折衷。
- 胡冬青吴郁贾云鹏
- 关键词：功率MOSFET单粒子烧毁
- 电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究
- 为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步。本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET,结果证明它比MOSFET具有低得多的高频功率损耗,并且也具有...
- 张娜亢宝位田波韩峰吴郁胡冬青
- 关键词：功耗温度特性
- 文献传递
- 2010年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议综述
- 2010年
- 概括介绍了第22届ISPSD10发表的一些主要成果和进展,内容涉及高压功率器件、低压功率器件、功率集成电路、模块与封装技术、新材料功率半导体器件等几个方面。
- 胡冬青
- 用于IGBT薄片技术的激光热退火深度熔化激活被引量：1
- 2011年
- 本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1.5cm×1.5cm的区域,采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片技术的制造工艺。薄片工艺是进一步缩小芯片厚度,降低通态压降和开关损耗的重要步骤。
- 胡冬青
- 关键词：IGBT
- 额定电流3200A的10kV HPT IGCT——大功率半导体发展的一个新的里程碑
- 2010年
- 本文介绍了一种新研发的10kV集成栅控晶闸管(IGCT)芯片,其耐压和电流容量是目前市场上可用IGCT中最大的。这种器件在GCT晶片设计上做了改进,使其电流容量超过3200A。另外,为了避免采用标准高压二极管常遇到的反向促恢复问题,还研发了一种与IGCT相匹配的10kV快恢复二极管。
- 高一星查祎英胡冬青
- 关键词：IGCT高压二极管大功率半导体
- 一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：6
- 2008年
- 对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
- 王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位
- 关键词：内透明集电极NPT-IGBT
- 2009年IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议述评(上)
- 2009年
- 本文分两部分概括介绍第21届ISPSD09发表的有关功率半导体器件及集成电路的一些主要成果和进展, (上)部分包括特邀综述、低压器件、高压硅器件;(下)部分包括集成功率、宽禁带器件与电路等几个方面。
- 胡冬青
- 关键词：IEEE功率集成电路
- 超低漏电、超快恢复二极管的仿真研究
- 本文就结合不同的制造技术,进一步优化器件反向恢复特性,进行了器件仿真,目的是为研制开关速度快、漏电低、开关软的器件提供理论支持。仿真的技术对象是采用低阳极发射效率结构、局域铂掺杂寿命控制技术和电子辐照寿命控制技术制造的快...
- 谢书珊亢宝位吴郁胡冬青
- 关键词：快恢复二极管电子辐照
- 文献传递
