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程序

作品数:18 被引量:32H指数:3
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇电子领域
  • 4篇三极管
  • 4篇肖特基
  • 4篇开关速度
  • 4篇击穿电压
  • 4篇功率集成
  • 4篇二极管
  • 3篇电阻
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇肖特基结
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇仿真
  • 3篇半导体器件
  • 3篇IGBT
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇开关管

机构

  • 18篇北京工业大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 18篇程序
  • 16篇亢宝位
  • 13篇吴郁
  • 6篇王哲
  • 2篇田波
  • 2篇高琰
  • 1篇邹德恕
  • 1篇韩郑生
  • 1篇李俊峰
  • 1篇杜金玉
  • 1篇肖波
  • 1篇王哲
  • 1篇陆秀洪
  • 1篇王浩
  • 1篇刘兴明
  • 1篇王玉琦

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇北京工业大学...
  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 1篇1995
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件
一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件,它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管,其特征在于:在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构,采用二极管铝电极延伸...
亢宝位程序吴郁
文献传递
超结理论的产生与发展被引量:9
2006年
对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
田波程序亢宝位
关键词:功率半导体器件导通电阻击穿电压
一种高性能的新结构IGBT(英文)被引量:3
2003年
提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分 .虽然在正常工作条件下 ,该新结构 IGBT工作于穿通状态 ,但器件仍具有非穿通 IGBT( NPT- IGBT)的优良特性 .该新结构 IGBT具有比 NPT- IGBT更薄的芯片厚度 ,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷 .实验结果表明 :与 NPT- IGBT相比较 ,新结构 IGBT的功率损耗降低了
程序吴郁刘兴明王哲亢宝位李俊峰韩郑生
关键词:缓冲层NPT-IGBT
具有电阻通道的高速高压功率集成器件
一种用于电力电子领域的具有电阻通道的高速高压功率集成器件,特征在于:在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的电阻便捷桥结构,该结构将二极管的p型区和NPN型三极管的p型区之间用一个横截面积很小的有一定电阻的p型区...
亢宝位程序吴郁
文献传递
具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件
一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件,它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管,其特征在于:在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构,采用二极管铝电极延伸...
亢宝位程序吴郁
文献传递
GAT管击穿电压的数值分析被引量:1
1996年
对GAT结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算,报告了计算的结果,以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方法,所用软件为PISCES.计算结果表明,栅的引入可以显著提高高速功率开关晶体管的击穿电压BVCEO;栅区浓度越高,栅区结深越深,击穿电压越高;栅间距是提高击穿的关键因素,存在一个最佳值。本计算结果为高频高压功率晶体管的优化设计提供了有力的依据。
程序亢宝位吴郁唐洪涛
关键词:双极晶体管雪崩击穿击穿电压
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响被引量:3
2008年
对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
田波程序亢宝位
关键词:功率半导体器件导通电阻击穿电压
一种具有新耐压层结构的IGBT被引量:2
2003年
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT——低功耗IGBT。新结构用三重扩散的方法在n- 单晶片上引入了n+ 缓冲层。保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+ 双层复合的薄耐压层 (即薄基区) 的优点。计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右。针对LPL-IGBT的创新点——新耐压层结构,我们还进行了优化仿真。
高琰亢宝位程序
关键词:IGBT关断损耗仿真
高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
2001年
对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .
王哲吴郁亢宝位程序
关键词:开关晶体管
高速高压功率集成器件
一种用于电力电子领域的高速高压功率集成器件,特征在于:在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的结构段,该结构段采用在二、三极管p型区之间用横截面积小的有一定电阻的p型区联结起的电阻便捷桥式结构;或采用二极管铝电极...
亢宝位程序吴郁
文献传递
共2页<12>
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