田波
- 作品数：15 被引量：15H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 高频低功耗功率结型场效应晶体管
- 一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发...
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- 文献传递
- 超结理论的产生与发展被引量：9
- 2006年
- 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
- 田波程序亢宝位
- 关键词：功率半导体器件导通电阻击穿电压
- 栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究
- 2009年
- 新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%。
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- 关键词：半导体器件通态电阻
- CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究
- 2006年
- 本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。
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- 关键词：功耗
- 埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验(英文)
- 2008年
- 提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真工作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时间与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.
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- 采用优化的腐蚀工艺对TiSi_2接触特性的改善
- 2009年
- 针对传统TiSi_2工艺中RCA1(NH_4OH:H_2O_2:H_2O)溶液对于TiN/Ti与TiSi_2的选择性不好会造成硅化物的损失、提高接触电阻的问题,提出一种采用2次选择性腐蚀的工艺方法进行改善.通过具体的工艺实验证明,与传统工艺方法相比,该工艺方法可以在保持低漏电流的前提下,有效减少TiSi_2的损失,使得方块电阻降低约18%.该工艺方法具有简单易行的特点,适用于大规模工业生产.
- 田波吴郁胡冬青亢宝位
- 关键词：TISI2
- 电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究
- 为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步。本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET,结果证明它比MOSFET具有低得多的高频功率损耗,并且也具有...
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- 关键词：功耗温度特性
- 文献传递
- CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比
- 2009年
- 本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。
- 韩峰亢宝位吴郁田波
- 关键词：功耗
- 栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究被引量：1
- 2007年
- 新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%。
- 田波亢宝位吴郁韩峰
- 超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响被引量：3
- 2008年
- 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
- 田波程序亢宝位
- 关键词：功率半导体器件导通电阻击穿电压
