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单建安

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

主题

  • 9篇晶体管
  • 7篇局域
  • 6篇载流子
  • 6篇载流子寿命
  • 6篇双极晶体管
  • 6篇绝缘栅
  • 6篇绝缘栅双极晶...
  • 4篇集电区
  • 4篇硅材料
  • 4篇高温稳定性
  • 3篇结型
  • 3篇结型场效应
  • 3篇结型场效应晶...
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇正温度系数
  • 2篇退火
  • 2篇温度系数
  • 2篇局域化
  • 2篇缓冲层

机构

  • 9篇北京工业大学

作者

  • 9篇亢宝位
  • 9篇单建安
  • 5篇吴郁
  • 4篇胡冬青
  • 3篇田波
  • 2篇周文定

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法
硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于半导体器件领域。本发明为具有内透明集电区绝缘栅双极晶体管硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法的制造方法，能够在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控...
亢宝位胡冬青单建安
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高频低功耗功率结型场效应晶体管
一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发...
亢宝位吴郁田波单建安
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具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管
本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种功率半导体开关器件，它是在现有PT－IGBT结构中的P<Sup>+</Sup>型衬底与N型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于P<Sup>+</Su...
亢宝位单建安周文定
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变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法
变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于晶体管的制造领域。本发明在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控制区。其技术方案是利用高剂量氦注入及后继退火工艺在器件集电区近集电结附近引入局域纳米空...
亢宝位胡冬青吴郁单建安
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硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法
硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法，能够在沟槽栅、表面栅和隐埋栅型功率JFET结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是：将SOI工艺中的SIMOX或SIMNI技术思路以局域化的方式用于纵...
亢宝位吴郁田波单建安
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具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管
本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种功率半导体开关器件，它是在现有PT-IGBT结构中的P<Sup>+</Sup>型衬底与N型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于P<Sup>+</Su...
亢宝位单建安周文定
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变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法
变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于晶体管的制造领域。本发明在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控制区。其技术方案是利用高剂量氦注入及后继退火工艺在器件集电区近集电结附近引入局域纳米空...
亢宝位胡冬青吴郁单建安
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硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法
硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于半导体器件领域。本发明为具有内透明集电区绝缘栅双极晶体管硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法，能够在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控制区。其技...
亢宝位胡冬青单建安
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硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)的制造方法
硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法，能够在沟槽栅功率JFET结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是：将SOI工艺中的SIMOX或SIMNI技术思路以局域化的方式用于纵向导电的功率器件，...
亢宝位吴郁田波单建安
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