王玉琦
- 作品数：15 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究被引量：6
- 2004年
- 应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8～ 6nm,随 wo 值增大而增大 .电子能谱 ( EDS)测定结果表明 ,Mn2 +离子在量子点中的摩尔分数为 1 .5 % .由电子自旋共振 ( ESR)分析确定一部分 Mn2 + 离子取代 Cd2 + 离子位置而位于晶格 ,另一部分 Mn2 +离子位于 Cd1 - x Mnx S的表面或间隙位置 .吸收光谱显示 ,随着量子点变小 ,吸收带边发生蓝移 ,显示明显的量子尺寸效应 .光致荧光光谱分析表明 ,发光峰属于 Mn2 + 的 4 T1 -6 A1 跃迁 ,而且随着ωo 和粒径的增大 ,发光峰从 2 .2 6,2 .1 0 ,2 .0 5 e V红移到 1 .88e V;其发光峰偏离 2 .1 2 e V,主要是由于 Mn2 + 离子位于扭曲的四面体晶体场所致 .
- 庞起郭必成王建农杨世和王玉琦葛惟昆龚孟濂
- 关键词：量子点稀磁半导体反胶束光致荧光
- 超宽带小型化微带环行器的设计与仿真被引量：4
- 2013年
- 设计了一种超宽带小型化双Y结微带环行器,阐述了微带环行器的工作原理、设计理论和方法。在理论分析的基础上,结合计算机辅助软件AppCAD,分别计算出了大小Y结的尺寸,利用HFSS软件进一步对环行器进行建模、仿真,并且根据小Y结尺寸对于环行器带宽的影响,对其进行了优化处理。结果表明,该环行器在7.5～12.5GHz范围内,插入损耗小于0.1dB,隔离度大于20dB,电压驻波比小于1.22,相对带宽大于50%,仿真数据均满足设计要求和性能指标,也满足了环行器小型化的设计要求。
- 金岳悦陈强王玉琦
- 关键词：微带环行器超宽带仿真
- GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：8
- 2003年
- 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
- 罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨
- 关键词：单量子阱砷化镓分子束外延生长
- 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
- 2007年
- 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
- 钟飞邱凯李新化尹志军姬长建韩奇峰曹先存陈家荣段铖宏周秀菊王玉琦
- 关键词：表面形貌GAN薄膜
- 氮对溅射TiC膜在钢基体上附着力的影响
- 1989年
- 作者研究了溅射过程中在辉光等离子体内导入氮对溅射TiC膜在钢基体上附着力的影响。采用自制划痕仪测定了膜的附着力,並用俄歇谱仪研究了膜与基体的界面。结果表明,反应气体N_2能够促使形成一个渐变的过渡界面,从而改善了TiC膜在钢基体上的附着力。本文还讨论了辉光等离子体与基体表面的相互作用。
- 戚震中王玉琦姚伟国贾俊辉朱勇
- 关键词：溅射氮附着力
- 具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
- 2000年
- 提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数，使基区在工作时完全耗尽，从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150,000；器件具有良好的噪声特性，噪声功率与器件的直流偏置电流成正比，即in2=2qIcΔf。
- 常玉春罗海林王玉琦
- 关键词：光电晶体管光探测器噪声双极晶体管
- 新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
- 2005年
- 提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管 (SiGeHBT) ,该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2 的方法来改善器件的高频性能 .将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较 ,发现新结构器件的基区 集电区电容减少了 5 5 % ,因而使器件的最大有效增益提高了大约 2dB ,其工作在低压(Vce=4 5V)和高压 (Vce=2 8V)情况下的最高振荡频率分别提高了 2 4 %和 10 % .
- 刘亮王玉琦肖波亢宝位吴郁王哲
- 关键词：HBT最高振荡频率
- 一种新的隔离结构表面平坦化技术被引量：3
- 2002年
- 为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀。
- 王哲程序亢宝位吴郁王玉琦
- 关键词：反应离子刻蚀湿法腐蚀
- X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
- 2011年
- 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
- 乔媛媛肖正国曹先存郭浩民史同飞王玉琦
- 关键词：X射线吸收谱
- 基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列被引量：1
- 2015年
- Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是稳定的,因此阻碍了Au催化刻蚀反应,而Ti与反应溶液快速反应,不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作,以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜,使用金属辅助化学刻蚀,制备了有序的Si纳米线阵列。
- 段花花李新化周步康史同飞李宁陈健王玉琦
- 关键词：SI纳米线
