徐大鹏
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 立方氮化物及其蓝-绿光发光二极管的外延生长和性质研究
- 近年来,被称作第三代半导体-Ⅲ-V族氮化物因能够制作可发光短波段(蓝,绿光)器件和高温微电子器件已经成为半导体光电子器件研究与开发前沿课题和热点之一.该论文采用MOCVD技术在GaAs(001)衬底生长立方氮化物和蓝光及...
- 徐大鹏
- 关键词：蓝光绿光发光二极管立方GAN
- 立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
- 1998年
- 利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 .
- 徐大鹏王玉田杨辉郑联喜李建斌段俐宏吴荣汉
- 关键词：MOCVD砷化镓立方相
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
- 2002年
- 利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga
- 冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏
- 关键词：MOCVD立方相砷化镓铝镓氮
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中， Ｎ Ｈ３ 气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体。
- 赵德刚杨辉徐大鹏李建斌王玉田郑联喜李顺峰王启明
- 关键词：光致发光砷化镓
- 立方氮化物及其蓝-绿光发光二级管的外延生长和性质研究
- 徐大鹏
- 关键词：氮化物半导体材料物理性质GAN材料
- 高质量立方相InGaN的生长被引量：5
- 2000年
- 利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .
- 李顺峰杨辉徐大鹏赵德刚孙小玲王玉田张书明
- 关键词：INGANMOCVD光致发光氮化镓
- 立方相氮化镓发光材料和器件
- 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲
- 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓立方相MOCVD
- 立方相pn结GaN的光伏效应
- 该文研究了立方相pn结GaN的光伏效应，通过比较pn结GaN和n-GaN的光伏谱，提出了利用光伏曲线极性来判断P型GaN的方法。
- 赵德刚杨辉江德生李顺峰徐大鹏
- 关键词：GAN光伏效应
- 文献传递
- MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
- 1999年
- 采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TOB,LOB 声子的强度降低 ,而来自六角相的E2 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .
- 孙小玲杨辉王玉田李国华郑联喜李建斌徐大鹏王占国
- 关键词：立方相氮化镓砷化镓热退火MOCVD
- 立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
- 2001年
- 采用X射线多功能四圆衍射仪测绘出GaN/GaAs(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系为 :{0 0 0 1 }∥ {1 1 1 },〈1 0 1 0〉∥〈1 1 2〉 .构建了相应的结构模型 ,并对 {0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图进行了模拟 .六角相以该取向关系存在于立方相GaN外延层中时 ,两相界面处具有相应于六角相和立方相的层错结构 .分析立方相GaN外延层中形成六角相所导致的晶格畸变和能量变化可知 ,造成六角相分布特征的主要因素是平行于〈0 0 0 1〉方向的两相界面处原子成键紊乱 .六角相按照该取向关系 ,从低温缓冲层内部或缓冲层与外延层界面处萌生 。
- 渠波郑新和王玉田韩景仪徐大鹏林世鸣杨辉梁骏吾
- 关键词：极图立方相
