杨辉
- 作品数：378 被引量：1,911H指数：26
- 供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：天文地球电子电信理学石油与天然气工程更多>>
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
- 2002年
- 利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga
- 冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏
- 关键词：MOCVD立方相砷化镓铝镓氮
- Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
- 2003年
- 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
- 张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
- 关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
- 基于二次耦合势的广域电磁法有限体积三维正演计算被引量：8
- 2018年
- 与可控源音频大地电磁(CSAMT)相比,广域电磁法通过采用全区视电阻率定义,突破了卡尼亚视电阻率所需的远区条件限制,极大拓展了可控源电磁观测区域和探测深度.考虑到电偶源激发场的三维特征以及地下复杂三维结构,为提高广域电磁数据解释精度,本文实现了基于二次耦合势的广域电磁法三维正演计算.该算法利用Helmholtz定理将麦克斯韦方程转化为库伦规范下的磁矢势和电标势耦合方程,有效改善了离散所得大型线性方程组的谱性质,并通过强加散度条件来消除电场伪解的影响.此外,采用散射场方法,其中一次场使用准解析法求解,二次场使用有限体积法求解,克服了局部激发场源奇异性问题.通过与一维层状模型下电偶源产生的电磁场准解析解对比,验证了本文算法的正确性.在此基础上,利用本文的正演算法对比分析了广域电磁法与CSAMT对典型三维目标体的探测能力,结果表明在相同的观测条件下,广域电磁法能够更准确地反映地下目标体信息,拥有更优的分辨能力.
- 彭荣华胡祥云李建慧胡祖志杨辉
- 关键词：广域电磁法有限体积法三维正演
- 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器
- 一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器，包括：一氮化镓同质衬底；一n型GaN同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；一n型AlGaN限制层，其制作在n型GaN同质外延层上；一n型GaN波导层，其制作在n型A...
- 陈平赵德刚朱建军刘宗顺江德生杨辉
- 文献传递
- 阴山造山带—鄂尔多斯盆地岩石圈层、块速度结构与深层动力过程被引量：53
- 2010年
- 阴山造山带位于鄂尔多斯盆地的北缘,这一地带不仅是构造活动强、弱的变异地域,且为盆、山的耦合地带,故在造山带与盆地地域具有各异的深层动力过程.本文基于高精度人工源地震宽角反射、折射探测和高分辨率的数据采集,通过反演求得了满都拉—鄂尔多斯—榆林—延川长达650 km剖面辖区的岩石圈精细层、块结构.研究结果表明:①沿该剖面由南向北地壳厚度为40～45 km;在不同构造单元其介质、结构均不相同;速度分布、空间结构形态和界面起伏及属性亦存在着明显差异;上地幔顶部速度为8.0～8.1 km/s;②沿剖面存在5条深、大断裂,且将该区切割成为壳、幔结构明显差异的4个构造单元,即鄂尔多斯盆地、盆山耦合地带、阴山造山带、内蒙构造带,它们各自具有固有的深层过程和动力学响应.同时厘定了阴山造山带与内蒙构造带之间的白云鄂博深、大断裂带是古亚洲洋的南界.在这里不仅导致了阴山造山带的形成,而且聚集了诸多的金属矿产资源,地震亦频繁活动.基于上述研究表明,阴山造山带—鄂尔多斯盆地耦合地带的壳、幔结构复杂、呈现出速度结构各异的层、块状展布.显然,在这一错综的成山、成盆、成岩、成矿和成灾地带,有着特异的深层过程和动力机制.
- 滕吉文王夫运赵文智张永谦张先康闫雅芬赵金仁李明杨辉张洪双阮小敏
- 关键词：鄂尔多斯盆地深层动力过程
- 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为被引量：5
- 2013年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
- 吴渊渊郑新和王海啸甘兴源文瑜王乃明王建峰杨辉
- 关键词：晶体质量
- 生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
- 2007年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.
- 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
- 关键词：INGANX射线衍射光致发光
- 高阻氮化镓外延层的异常光吸收
- 2010年
- 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种区域响应不一致性可以得到很好的解释.
- 刘文宝赵德刚江德生刘宗顺朱建军张书明杨辉
- 关键词：GAN激子光谱响应
- 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法
- 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在...
- 季莲张书明刘宗顺杨辉
- 准噶尔盆地火山岩油气藏分布规律及区带目标优选——以陆东—五彩湾地区为例被引量：51
- 2009年
- 以岩石物性、重磁电震、钻井等资料为基础,根据研究区具体地质情况,提出火山岩分布预测、火山岩岩性预测、有利区带及目标评价的重磁电震配套技术。通过在陆东—五彩湾地区的综合应用,完善了现有的方法技术,形成了有效的重磁电震综合勘探技术流程。对陆东—五彩湾地区火山岩气藏分布规律进行了分析总结,提出了该区火山岩气藏勘探的重要认识:磁力异常梯度带是火山岩断裂带,断裂控制了火山岩的分布,也控制了火山岩的局部构造;磁力异常梯度带是火山岩裂缝发育带,是火山岩储集层发育的有利部位;近烃源岩磁力异常梯度带是火山岩油气藏的富集区带。预测的有利区块(区带)、有利目标得到了钻探证实,表明了本研究方法正确有效。
- 杨辉文百红张研张光亚刘志舟吴丰成卫延召戴晓峰胡庆辉
- 关键词：准噶尔盆地火山岩气藏航磁
