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朱建军

作品数:185 被引量:99H指数:6
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 129篇专利
  • 37篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 13篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 43篇氮化镓
  • 40篇激光
  • 40篇激光器
  • 34篇衬底
  • 26篇GAN
  • 17篇探测器
  • 16篇欧姆接触
  • 15篇发光
  • 14篇外延片
  • 13篇阈值电流
  • 12篇砷化镓
  • 12篇纳米
  • 12篇MOCVD
  • 11篇刻蚀
  • 10篇阻挡层
  • 10篇绿光
  • 10篇半导体
  • 9篇载流子
  • 9篇紫外探测
  • 9篇紫外探测器

机构

  • 185篇中国科学院
  • 3篇北京工业大学
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇上海交通大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇同济大学

作者

  • 185篇朱建军
  • 115篇赵德刚
  • 100篇刘宗顺
  • 71篇杨辉
  • 70篇陈平
  • 61篇江德生
  • 52篇张书明
  • 32篇杨静
  • 21篇梁锋
  • 18篇张宝顺
  • 16篇张永红
  • 15篇梁骏吾
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  • 13篇刘文宝
  • 13篇段俐宏
  • 13篇李翔
  • 12篇孙苋
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  • 9篇邱凯
  • 9篇刘炜

传媒

  • 14篇Journa...
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  • 5篇发光学报
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇中国激光
  • 2篇中国科学(E...
  • 2篇中国科学(G...
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  • 1篇电子学报
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  • 1篇高技术通讯
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  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 13篇2020
  • 7篇2019
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  • 13篇2017
  • 9篇2016
  • 24篇2015
  • 10篇2013
  • 11篇2012
  • 10篇2011
  • 17篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
185 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量:1
2002年
采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN(0002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
关键词:GAN半导体材料
一种紫外红外双色探测器及制作方法
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替...
刘宗顺赵德刚朱建军张书明王辉江德生杨辉
文献传递
蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量:2
2007年
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
关键词:GAN基激光器多量子阱
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层;步骤2:将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
文献传递
Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
关键词:紫外探测器光谱响应特性
文献传递
一种铟镓氮薄膜的生长方法
本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法,用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷,该方法包括:步骤1:在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层;步骤2:在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层,然后升高温度至退火温...
梁锋赵德刚刘宗顺朱建军
文献传递
Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响被引量:3
2005年
使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.74±0.02eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.
汪辉朱建军王国宏C BruynseraedeKMaex
关键词:电迁移
Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N基紫外探测器及制备方法
一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法,该Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N基紫外探测器,包括:一衬底,所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接...
赵德刚李晓静江德生刘宗顺朱建军陈平
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一种化学气相淀积外延设备用的进气装置
本实用新型公开了一种化学气相淀积外延设备用的进气装置,该装置包含:一进气法兰盘,该法兰盘与筛板法兰通过密封胶圈密封连接;一匀气筛板,该匀气筛板嵌装入该进气法兰盘底面中央的圆形沉槽中;一中层筛板,该中层筛板与筛板法兰通过密...
朱建军王海史永生
文献传递
具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器
一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底;一n型同质外延层;一n型限制层;一n型波导层;一有源区;一AlInN镁反向扩散阻挡层;一p型电子阻挡层;一p型波导层;一p型限制层,其制作在p型...
陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋
文献传递
共19页<12345678910>
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