赵德刚
- 作品数：269 被引量：264H指数：9
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 非故意掺杂碳杂质对Mg掺GaN层电学和光学性质的影响
- 众所周知,MOCVD生长系统使用金属有机源作为前驱体,所以C杂质是一种非常重要的非故意掺杂杂质.C杂质在GaN中可以形成多种形态,它既可以代替N的位置充当施主(CN),也可以代替Ga的位置充当受主(C Ga),还可以形成...
- 杨静赵德刚
- 一种紫外激光器外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制...
- 杨静赵德刚梁锋陈平刘宗顺
- 一种提高空穴注入的氮化镓基激光器
- 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐...
- 侯玉菲赵德刚梁锋杨静陈平刘宗顺
- 文献传递
- 倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法
- 一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作...
- 梁锋陈平赵德刚侍铭刘宗顺江德生
- 文献传递
- AlGaN材料的MOCVD生长研究被引量：2
- 2005年
- 文章研究了A lGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,A lGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于A l原子表面迁移率太小,随着TMA l流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着A l组分的增加而下降,A lGaN的表面形貌也变差。随着TMA l流量的增加,A lGaN材料的生长速率反而下降,这是由于A l原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMA l与NH3之间存在强烈的寄生反应,A lGaN材料中的A l组分远小于气相中的A l组分。文中简单探讨了提高A lGaN材料质量的生长方法。
- 赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅
- 关键词：ALGANMOCVD
- 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
- 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势...
- 赵德刚杨辉
- 文献传递
- MOCVD系统中AlN生长速率的研究被引量：1
- 2005年
- 文章研究了MOCVD系统中影响A lN生长速率的机制。我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了A lN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMA l流量等生长参数的关系。实验发现,A lN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系。我们认为,MOCVD系统中存在A l原子的寄生反应,导致了反常现象的发生。A lN生长速率与TMA l流量的关系进一步证明了这一点。实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高A lN生长速率,同时也将有利于提高A l-GaN材料中的A l组分。
- 赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅
- 关键词：MOCVDALN生长速率
- P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究
- 2005年
- 文章研究了P型氮化镓材料表面自然氧化,故意氧化以及盐酸处理等三种不同情况下的X射线光电子能谱(XPS)。结果发现800℃下在空气中故意氧化6m in后,P型氮化镓材料表面的镓(Ga2p3/2)峰出现较大移动,向高能端移动了0.88eV(与盐酸处理的样品相比),O1s峰向低能方向移动了0.9eV,且镓氮原子含量比最大;在空气中自然氧化和盐酸处理的两个样品峰的移动很小,各个峰的移动大约在0.1eV左右,但是用盐酸处理后的样品的含氧量有所下降,且盐酸处理的样品的镓氮原子含量比最小,镓氮的原子含量比小有利于形成镓空位,而镓空位是受主,这样镓氮原子含量比越小越有利于形成P型氮化镓欧姆接触。
- 许金通汤英文游达龚海梅李向阳赵德刚
- 关键词：氮化镓
- 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
- 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
- 乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
- Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N基紫外探测器及制备方法
- 一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接...
- 赵德刚李晓静江德生刘宗顺朱建军陈平
- 文献传递
