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刘宗顺

作品数：166 被引量：95H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 128篇专利
  • 28篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 65篇电子电信
  • 6篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 62篇激光
  • 59篇激光器
  • 47篇氮化镓
  • 31篇衬底
  • 19篇氮化镓基激光...
  • 17篇探测器
  • 16篇GAN
  • 16篇波导
  • 15篇欧姆接触
  • 13篇砷化镓
  • 13篇阻挡层
  • 12篇载流子
  • 12篇退火
  • 12篇量子
  • 11篇电阻
  • 11篇阈值电流
  • 11篇外延片
  • 11篇半导体
  • 10篇电子阻挡层
  • 9篇多量子阱

机构

  • 160篇中国科学院
  • 5篇吉林大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 164篇刘宗顺
  • 145篇赵德刚
  • 107篇陈平
  • 100篇朱建军
  • 82篇江德生
  • 58篇杨静
  • 55篇杨辉
  • 44篇梁锋
  • 34篇张书明
  • 15篇刘文宝
  • 13篇乐伶聪
  • 13篇李翔
  • 11篇孙苋
  • 11篇刘炜
  • 10篇吴亮亮
  • 9篇李亮
  • 8篇李晓静
  • 8篇王辉
  • 7篇段俐宏
  • 5篇张爽

传媒

  • 9篇Journa...
  • 6篇物理学报
  • 4篇高技术通讯
  • 4篇第十三届全国...
  • 3篇中国激光
  • 2篇吉林大学自然...
  • 1篇电子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 8篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 13篇2020
  • 6篇2019
  • 10篇2018
  • 16篇2017
  • 5篇2016
  • 23篇2015
  • 8篇2014
  • 4篇2013
  • 9篇2012
  • 4篇2011
  • 11篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
共 166 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种紫外红外双色探测器及制作方法
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替...
刘宗顺赵德刚朱建军张书明王辉江德生杨辉
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蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量：2
2007年
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
关键词：GAN基激光器多量子阱
一种Si基GaN及其生长方法
本公开提供一种Si基GaN及其生长方法，方法包括：在基础层(1)上生长混合梯度AlGaN层(2)；在混合梯度AlGaN层(2)上生长GaN层(3)；其中，混合梯度AlGaN层(2)中，靠近GaN层(3)一侧的Al含量小于...
张臻琢赵德刚杨静梁锋陈平刘宗顺
文献传递
GaN基金属-半导体-金属探测器
在非故意掺杂的GaN外延层上制作了MSM结构的探测器.对暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流发生变化.光谱响应测量中发现带隙内的异常峰值响应现象.根据陷阱模型对它们做出了解释.
刘文宝赵德刚刘宗顺杨辉
关键词：MSM结构探测器光谱响应淬灭
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157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵被引量：7
2000年
通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．
方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平胡长虹鲁琳李秀芳王梅
关键词：激光二极管列阵砷化镓
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
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Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
关键词：紫外探测器光谱响应特性
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准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵被引量：11
1998年
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
肖建伟刘宗顺刘素平方高瞻胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
关键词：量子阱激光器列阵大功率半导体激光器
一种铟镓氮薄膜的生长方法
本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法，用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层；步骤2：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温...
梁锋赵德刚刘宗顺朱建军
文献传递
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>非晶层(12)；在未被Si<S...
赵丹梅赵德刚江德生刘宗顺陈平
文献传递
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