公共文化服务平台

李顺峰: 作品数：10 被引量：9H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1: 1999年; 本文通过光致发光（ＰＬ）测试发现了ＮＨ３流量的大小对以ＧａＡｓ（１００）为衬底生长立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体性质的影响的规律，ＮＨ３流量愈少，立方相ＡｌＧａＮ的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中，ＮＨ３气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体。; 赵德刚杨辉徐大鹏李建斌王玉田郑联喜李顺峰王启明; 关键词：光致发光砷化镓

立方相GaN基LED的电化学C-V测量: 作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs...; 李顺峰杨辉徐大鹏张书明; 关键词：LED; 文献传递

高质量立方相InGaN的生长被引量：5: 2000年; 利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .; 李顺峰杨辉徐大鹏赵德刚孙小玲王玉田张书明; 关键词：INGAN MOCVD 光致发光氮化镓

立方相pn结GaN的光伏效应: 该文研究了立方相pn结GaN的光伏效应，通过比较pn结GaN和n-GaN的光伏谱，提出了利用光伏曲线极性来判断P型GaN的方法。; 赵德刚杨辉江德生李顺峰徐大鹏; 关键词：GAN 光伏效应; 文献传递

立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究被引量：2: 2000年; 用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右.荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200～270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质.; 徐仲英刘宝利李顺峰杨辉葛惟昆; 关键词：激光材料稳态光学特性瞬态

立方相InGaN的生长及其LED有源区的研究: 近几年,第三代半导体材料GaN的性质和应用研究得到了迅猛的发展.成为应用物理和材料研究的一大热点.它优良的热稳定性、化学稳定性,和它适宜的禁带宽度使其广泛应用于微电子、光电子领域.尤其在可风光波段的光电器件应用中获得巨大...; 李顺峰; 关键词：GAAS衬底 GAN 热稳定性化学稳定性

立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相: 2001年; 利用扫描电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积 (LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(0 0 1 )外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系 .结果表明外延表面存在有大量沿 [1 1 0 ]方向延伸的条带状台阶 ,而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶 ,在表面平整的区域内其密度则较低 .{1 1 1 }Ga和 {1 1 1 }N 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因 .; 渠波李顺峰李顺峰胡国新郑新和王玉田林世鸣杨辉; 关键词：立方相氮化镓外延层孪晶

立方相氮化镓发光材料和器件: 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲; 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...; 关键词：; 关键词：氮化镓立方相 MOCVD

立方GaN的侧向外延生长: 该文研究了用MOCVD方法进行立方GaN在SIO<,2>掩盖下图形衬底上的侧向外延生长。GaN外延层的结构特征与条形GaN窗口的取向密切相关。在条形窗口沿<110>晶向时，外延层的截面为倒梯形，侧面为(111)A面;窗口...; 付羿段俐宏杨辉赵德刚李顺峰; 关键词：MOCVD方法 GAN 结构特征; 文献传递

Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature被引量：2: 2002年; High quality cubic GaN (c GaN) is grown by metalorganic vapor deposition (MOCVD) at an increased growth temperature of 900℃,with the growth rate of 1 6μm/h.The full width at half maximum (FWHM) of room temperature photoluminescence (PL) for the high temperature grown GaN film is 48meV.It is smaller than that of the sample grown at 830℃.In X ray diffraction (XRD) measurement,the high temperature grown GaN shows a (002) peak at 20° with a FWHM of 21′.It can be concluded that,although c GaN is of metastable phase,high growth temperature is still beneficial to the improvement in its crystal quality.The relationship between the growth rate and growth temperature is also discussed.; 付羿孙元平沈晓明李顺峰冯志宏段俐宏王海杨辉; 关键词：CUBIC GAN MOCVD