郑联喜
- 作品数：14 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
- 1998年
- 利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 .
- 徐大鹏王玉田杨辉郑联喜李建斌段俐宏吴荣汉
- 关键词：MOCVD砷化镓立方相
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中， Ｎ Ｈ３ 气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体。
- 赵德刚杨辉徐大鹏李建斌王玉田郑联喜李顺峰王启明
- 关键词：光致发光砷化镓
- MOCVD的InGaAs／GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究被引量：1
- 1994年
- 本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程．
- 王小军郑联喜王启明庄婉如黄美纯郑婉华
- 关键词：光致发光MOCVD
- MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：3
- 1996年
- 本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．
- 郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
- 关键词：单量子阱激光器激光器MOCVD
- MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
- 1999年
- 采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TOB,LOB 声子的强度降低 ,而来自六角相的E2 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .
- 孙小玲杨辉王玉田李国华郑联喜李建斌徐大鹏王占国
- 关键词：立方相氮化镓砷化镓热退火MOCVD
- 选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响被引量：2
- 1998年
- 本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通过模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善。
- 张益潘钟杜云陈志标郑联喜吴荣汉
- 关键词：VCSEL激光器
- 立方相GaN外延材料的研究
- 人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin...
- 杨辉郑联喜
- 关键词：立方相GAN
- 立方相氮化镓发光材料和器件
- 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲
- 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓立方相MOCVD
- 超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
- 1995年
- 在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ现象的缺点．本文还用此方法对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格进行了模拟计算，与实验吻合很好，证明了理论的正确性．
- 郑联喜王玉田庄岩邓礼生肖智博胡雄伟梁骏吾
- 关键词：超晶格结构参数X射线衍射
- InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性被引量：1
- 1999年
- 本文研究了以ＩｎＡｌＧａＡｓ作垒层的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决ＩｎＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料．同时用Ｘ光和低温光致发光（ＰＬ）谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层ＩｎＡｌＧａＡｓ的质量．
- 郑联喜胡雄伟韩勤
- 关键词：半导体激光器砷化镓
