孙小玲
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高质量立方相InGaN的生长被引量：5
- 2000年
- 利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .
- 李顺峰杨辉徐大鹏赵德刚孙小玲王玉田张书明
- 关键词：INGANMOCVD光致发光氮化镓
- MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
- 1999年
- 采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TOB,LOB 声子的强度降低 ,而来自六角相的E2 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .
- 孙小玲杨辉王玉田李国华郑联喜李建斌徐大鹏王占国
- 关键词：立方相氮化镓砷化镓热退火MOCVD
- 立方相氮化镓发光材料和器件
- 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲
- 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓立方相MOCVD
- GaN基材料的生长、结构性能及光电性质研究
- 该文对近年来发展起来的具有重要应用前景的短波长GaN基材料的生长、结构性能及光电性质等进行了系统、深入的研究.主要包括以下内容:1、研究了立方GaN的MBE、MOCVD生长机理,探讨了MBE生长中衬底取向偏角对晶体质量及...
- 孙小玲
- 关键词：光电性质立方GAN结构性能
- GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究被引量：6
- 1999年
- 本文报道了利用 MOCVD方法 ,在 Ga As衬底 ( 0 0 1 )面制备的立方 Ga N薄膜的光学性质 .利用光致发光 ( PL )光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量 .利用喇曼散射( RS)光谱研究了立方 Ga N薄膜中的光学声子模式 .横向 ( TO)和纵向 ( LO)声子在立方 Ga N中的散射峰分别位于 552 cm- 1和 739cm- 1.另外还观察到来自界面无序层的 TOB和 LOB.根据喇曼频移和选择定则可识别 Ga N中的相组成 .其来自六方相 Ga N的 E2 声子模 ,可作为识别立方 Ga N中六方相的标志 .随着退火温度的升高 ,样品中的界面层的效应减弱 。
- 孙小玲杨辉李国华郑联喜李建斌王玉田王占国
- 关键词：砷化镓MOCVD法氮化镓
