李自学
- 作品数：18 被引量：28H指数：3
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
- 高可靠军用DC/DC电源变换器被引量：2
- 2004年
- 介绍采用先进厚膜混合集成工艺制造的高可靠DC/DC电源变换器,包括厚膜导体复合结构、高可靠粘结工艺、等离子体清洗工艺、深腔键合工艺、Cu丝漆包线点焊工艺和平行缝焊结构等许多新工艺、新材料和新技术,此类电源变换器的电性能优良,可靠性高,气密性指标(漏气率)可达5×10-4kPa·cm3/s,丝焊的键合强度和剪切强度均满足GJB548A的要求,完全适用于航天、弹、箭、星、船和舰等各类型号的电源变换。
- 李自学任爱华鲍鹏刘亚强李红丽梁晓兰
- 关键词：DC/DC变换器厚膜高可靠
- 用于混合微电子封装的聚合物粘接材料
- 2005年
- 结合微电子封装技术的发展,重点叙述用于混合微电子封装的聚合物粘接材料的组成、分类及聚合物可靠性实验的研究情况。同时,介绍国外关于导电类粘接材料导电机理的研究现状及进展。
- 李自学
- 关键词：封装粘接混合集成电路
- 厚膜Au导体的超声键合技术研究被引量：3
- 1997年
- Al丝超声键合技术是混合电路组装中使用得最为普遍的一种键合技术。本文使用焊点破坏性拉力试验和焊点的接触电阻测试两种方法，研究了导体材料（Au、Pd—Au）、膜层厚度、125℃、300℃热老练和温度循环对焊点键合强度的影响。分析了键合强度降低和焊点失效的原因。
- 李自学
- 关键词：超声键合混合集成电路互连
- 用于多种组装技术的厚膜导体复合结构
- 1997年
- 厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且。
- 李自学田树英
- 关键词：厚膜电路导体复合结构
- 不同状态的SiAl丝对键合点根部损伤的影响
- 键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效.本文通过优化键合机器的工艺参数,分析键合丝的组成成份和采取不同的退火条件,研究Al丝超声键合中,键合点根部...
- 李自学王凤生张承军
- 关键词：混合电路超声键合
- 文献传递
- Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合被引量：2
- 1998年
- 采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合的性能。分别在１２４℃，１０００ｈ和３００℃，１０ｈ条件下进行热老练和温度循环等环境试验，然后测量焊点的键合强度。在室温和１２５℃高温条件下，观察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明：Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ厚膜导体适于粗Ａｌ丝超声键合，键合强度能满足要求。
- 李自学李红丽
- 关键词：超声键合金属间化合物厚膜导体混合集成电路
- 混合集成电路的外引线键合技术
- 2003年
- 混合集成电路外引线键合的方式很多。与混合集成电路的内引线键合不同,外引线键合时,键合丝的1端在管壳的引线柱上。因此,管壳外引线金属镀层的结构、镀层材料、键合丝的性能和键合工艺等因素都将影响混合电路外引线键合的质量。本文主要对Au丝球焊、Au丝点焊、SiAl丝超声焊等不同的键合工艺及其对应的金属学系统进行研究,并对其结果进行比较。采用Au丝点焊工艺键合混合电路外引线的效果最佳。
- 李自学金建东席亚莉
- 关键词：混合集成电路金丝球焊
- 多芯片组件技术的发展被引量：3
- 1996年
- 本文综述了多芯片组件（ＭＣＭ）的制造工艺和设计技术的发展现状，展望了ＭＣＭ的应用前景．
- 李自学田东方孙泰仁张俊超
- 关键词：多芯片组件微模组件MCM
- 厚膜导体的金属迁移研究
- 1996年
- 金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法──水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用此方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。并且应用电化学理论分析了Ｐｄ－Ａｇ导体的金属迁移过程．最后根据实验及分析，提出了抑制厚膜导体金属迁移的若干措施。
- 李自学田耀亭田树英
- 关键词：厚膜导体混合集成电路
- MCM基极电测试技术
- 1998年
- 对于复杂的MCM多层互连基板，电测试是控制成本、确保质量的关键环节。本文简要介绍了探针电阻、电容、电子束、潜在开路缺陷电测试及其测试技术的应用。
- 田东方李自学
- 关键词：电测试多层基板MCM微模组件
