乔忠林
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术历史地理文化科学更多>>
- 长城文化遗产廊道建设
- 长城是最具民族文化特色的线性、带状文化遗产,它绵延弯曲,分布地域广阔,延续时间漫长,建筑规模宏大,防御体系复杂,文化内涵丰富,无可争议地成为中国文化最重要的表征,是民族凝聚力和创造力的重要资源。美国哈佛大学景观研究学者查...
- 吴诗中徐飞乔忠林
- 关键词：文化遗产
- 文献传递
- 高压CMOS集成电路的工艺研究
- 乔忠林
- 关键词：CMOS器件虚拟制造
- 长城文化遗产廊道建设
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- 吴诗中徐飞乔忠林
- 关键词：文化遗产
- 文献传递
- 二氧化硅干法刻蚀工艺实验研究
- 该文研究了影响被刻蚀二氧化硅厚度，二氧化硅／光刻胶蚀选择比的工艺因素。在实验基础上，通过曲线拟合法求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系。文中还介绍了在给定工艺条件下单片内，片间以及批间被刻蚀二氧化硅厚度的均匀性...
- 林发永刘志弘乔忠林仲涛鲁勇
- 关键词：二氧化硅干法刻蚀厚度均匀性
- 文献传递网络资源链接
- 超薄SiO_2层的热生长
- 1996年
- 隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。
- 吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：存储器EEPROM半导体工艺超薄
- 掺砷多晶硅的热氧化被引量：1
- 1996年
- 在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验。结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。
- 吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：EEPROM半导体工艺多晶硅热氧化掺杂
- EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
- 1996年
- ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。
- 吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：存储器EEPROM击穿电压
- 二氧化硅刻蚀实验模型参数优化提取
- 本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件范围内建立的经验公式实现了对被刻蚀二氧化硅厚度的精确...
- 殴阳毅刘志弘刘荣华乔忠林仲涛付玉霞刘爱华林发永
- 关键词：二氧化硅刻蚀工艺参数
- 文献传递
