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严利人

作品数:131 被引量:55H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

文献类型

  • 91篇专利
  • 36篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 17篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 57篇激光
  • 54篇半导体
  • 41篇圆片
  • 41篇半导体制造
  • 34篇晶圆
  • 33篇晶圆片
  • 27篇半导体制造设...
  • 21篇电路
  • 20篇集成电路
  • 14篇光束
  • 11篇离子注入
  • 11篇激光退火
  • 10篇激光加工
  • 10篇半导体制造技...
  • 9篇退火
  • 9篇激光光束
  • 8篇浅结
  • 8篇激光处理
  • 7篇功率器件
  • 6篇紫外激光

机构

  • 131篇清华大学
  • 8篇上海集成电路...

作者

  • 131篇严利人
  • 76篇周卫
  • 54篇窦维治
  • 52篇刘朋
  • 47篇刘志弘
  • 24篇张伟
  • 13篇刘道广
  • 9篇付军
  • 9篇蒋志
  • 9篇吴正立
  • 8篇王玉东
  • 7篇费圭甫
  • 7篇王纪民
  • 6篇韩冰
  • 6篇崔杰
  • 5篇王勇
  • 3篇李瑞伟
  • 3篇乔忠林
  • 3篇周伟
  • 3篇王美荣

传媒

  • 25篇微电子学
  • 5篇世界科技研究...
  • 4篇微细加工技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇第九届全国半...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 6篇2014
  • 18篇2013
  • 16篇2012
  • 22篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 3篇2002
131 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺
本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火,控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动,形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描,使硅...
刘志弘严利人周卫刘朋
文献传递
一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置
本发明公开了属于半导体制造设备及半导体超浅结制造技术范围的一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置。该扫描装置为激光束固定不动,A、B双加热片台的结构完全相同,并排固定于加热片台固定板上面,加热片台固定板下面固定X2平移...
周卫严利人刘朋窦维治
带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺
本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构,阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用,排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响,从而使得器件沟道...
严利人周卫付军王玉东刘志弘张伟
文献传递
应用于微结构制造自治系统的流程自动生成
2006年
本文介绍计算机自动生成微结构制造流程的技术。微结构器件的种类繁多,不同器件的加工特点都不相同,即以中等复杂程度的CMOS结构而言,其制造流程就达到了几百个步骤之多,因此流程的生成技术是极具挑战性的。一个适用流程可按由简入繁的过程逐步形成。本文首先介绍了根据器件结构的特点,确定单元加工顺序的优先级方案;在单元加工顺序确定后,参照本文所定义的一个原型工艺库,可以将对单元的加工处理展开成局部的工艺步骤串;工艺步骤串连缀而成的初始工艺流程,经过一定的优化与适配工艺条件的之后,产生出在实践中能够直接使用的、详细的工艺流程卡。
严利人
关键词:自治系统
功率半导体器件背面制造工艺
本发明公开一种功率半导体器件背面制造工艺,为解决现有工艺中杂质激活率低等问题而设计。本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤:将正面结构加工完毕的硅片减薄;在硅片背面进行晶格预损伤处理;离子注入掺杂;在550℃以...
张伟严利人刘志弘许平周伟全冯溪
文献传递
工艺流程的自动生成程序MyAPG及其应用被引量:2
2002年
自动工艺流程生成器对于集成电路生产自动化具有重要意义。文章介绍了一种工艺流程生成程序 My APG,对于程序所用到的工艺库和工艺步骤合并的处理进行了详细说明 。
严利人邰晓鹏
关键词:集成电路生产
采用投影成像方式获取特定激光加工束斑的方法
本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种采用投影成像方式获取特定的激光加工束斑的方法。通过在光刻版上设计一系列的透光图形,通过驱动机构移动光刻版以选择特定的光刻版透光图形,入射激光光束通过光刻版透光图形后,进入投影成像透...
严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
文献传递
一种高产率的真空激光处理装置及处理方法
本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的真空激光处理装置及处理方法。所述装置由多个真空激光处理腔构成。并在多个真空的激光处理腔外,配置了环形轨道和取送片机械手,机械手在环形轨道上运行;激光光束位于多个真空激...
严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
文献传递
高性能及新颖性A/D转换器技术综述被引量:8
2008年
集成模数转换技术是模拟集成电路中一个重要的分支。随着近几十年集成电路制造技术的飞速发展,集成A/D转换器的性能也在不断地提升。文章在总结归纳近期技术文献的基础上,概述了A/D转换器在高精度和高速度两个主要发展方向上的关键技术;介绍了采用新颖结构形式的A/D转换器,以及与先进设计工具及设计流程相关的技术。文章旨在给从事高性能A/D转换器设计的工程技术人员提供一个实用的技术参考点。
黄伟严利人周卫
关键词:A/D转换器高速A/D转换器
一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法
本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构,正面结构和背面结构实现在两片硅片上,两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件,两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构...
严利人刘志弘
文献传递
共14页<12345678910>
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