王纪民
- 作品数：28 被引量：43H指数：4
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用虚拟制造设计低压功率VDMOS被引量：7
- 2004年
- 采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。
- 夏宇王纪民蒋志
- 关键词：虚拟制造物理参数电性能参数电学特性
- 一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现被引量：3
- 2006年
- 使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。
- 邓兰萍王纪民
- 关键词：LDMOSRESURF运算放大器
- 一种CMOS智能温度传感器前端电路的设计被引量：4
- 2007年
- 设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测器件提供精确的偏置电流;通过自稳零放大器对检测到的微弱电压信号进行放大。整个电路基于上华0.6μm CMOS工艺实现,采用Hspice工具进行仿真。仿真结果表明,该电路检测温度范围从-55℃到125℃,检测精度在1℃以内。
- 秦瑞沈延钊王纪民
- 关键词：温度传感器基准电流源
- MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取被引量：1
- 2002年
- 在晶体管 GP模型基础上 ,采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序 ,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法。用此方法对 PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟 ,模拟结果与测试结果符合得较好。
- 吴代远王纪民
- 关键词：MOS器件双极型晶体管全局优化
- 计算机辅助LDMOS器件性能参数分析被引量：1
- 1999年
- 对横向双扩散ＭＯＳ器件的沟道夹断，电流饱和以及输出特性做出理论解释。用一组解析方程式描述横向双扩散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）器件参数之间的关系。用计算机对方程求解，得到了栅电压，漏电压和漏电流之间的关系曲线以及亚开启特性，漏端动态负阻现象等。同时给出了不同漏电压下，沟道内部的电位分布、电场分布，各点上的漂移电流和扩散电流分布。对饱和机理进行了计算分析，提出了初始夹断电压和由夹断点电场决定的终点夹断电压，给出了一组计算曲线。对不同漏电压下沟道内部参数分布及其变化进行了计算，对ＬＤＭＯＳ器件负阻现象和其它性能进行了解释。
- 王纪民
- 关键词：I-V特性负阻
- 高耐压、大功率MOS集成电路关键器件的设计与工艺
- 为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可以在３５￣７０Ｖ之间...
- 吴正立李瑞伟蒋志王勇王纪民
- 关键词：高耐压大功率
- 文献传递网络资源链接
- 薄栅氧低功耗自恢复的电平移位栅电压控制电路
- 薄栅氧低功耗自恢复的电平移位栅电压控制电路属于高压器件的电平移位栅电压控制技术领域，其特征在于它由公知的灵敏放大电路和高压电平移位电路、公知的驱动和关闭驱动输出级、恒流源以及驱动和关闭驱动输出级的控制电路组成。高压电平移...
- 王纪民曹林邓兰萍
- 文献传递
- 集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究被引量：1
- 2002年
- 以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 。
- 李煜李瑞伟王纪民
- 关键词：离子注入沟道效应集成电路
- 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
- 2003年
- 以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并且编程加以实现 .
- 李煜李瑞伟王纪民
- 关键词：离子注入沟道效应编程
- 0.35μm LDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法
- 0.35μm LDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法属于高压功率显示驱动阵列技术领域，其特征在于：在标准的0.5μm工艺兼容的基础上增加两次P、N沟道区离子注入和两次P、N漂移区离子注入，即使栅氧化层厚度到达100并...
- 王纪民曹林肖文锐
- 文献传递
