费圭甫
- 作品数：12 被引量：17H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信核科学技术电气工程更多>>
- 硅微条粒子探测器被引量：6
- 1997年
- 本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况，侧重于器件的基本结构及其工作原理。
- 王勇张继盛费圭甫
- 关键词：粒子探测器硅探测器半导体探测器
- 微多晶硅梁开关振荡器被引量：2
- 1993年
- 本文提出了一种新型的多晶硅梁微静电开关结构,并在考虑硅梁固定边张力的情况下对多晶硅梁的受力弯曲、静电吸合等情形进行了有效的静力学理论分析。 利用微静电开关的充电吸合、放电弹开这一电、机过程,本文还实现了一种成本极低的微硅梁静电驱动振荡器。初步研究结果表明,硅梁的振动频宽大约为2.1kHz,振动幅度较小,振动平衡点在下电极附近。
- 孙曦庆李志坚费圭甫
- 关键词：振荡器
- 硅杯型集成压力传感器的研制
- 1994年
- 本文介绍了用于测量微小压力或流速的硅杯型集成传感器。它将敏感元件与信号放大电路以及恒流供电电路都集成在同一芯片内,实现了硅杯型压力传感器的单片集成。该集成传感器有较小的体积和较高的灵敏度,可用于测量小区域内的压力及流速分布情况。
- 刘理天谢会开费圭甫
- 关键词：离子注入压力传感器
- EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
- 1996年
- ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。
- 吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：存储器EEPROM击穿电压
- N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响被引量：1
- 1996年
- 为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。
- 吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
- 关键词：数字集成电路存储器EEPROM
- 一种结构改进了的硅基微静电马达被引量：5
- 1993年
- 本文介绍一种结构改进了的硅基微静电马达。通过在微马达转子下面集成光伏器件实现了对马达转速的片内检测,这对于实现转速自动控制和制作各种传感器有重大意义。利用复合膜牺牲层腐蚀技术制成了一种曲颈状轴承,该轴承能够大大减小马达转动时的摩擦阻力矩。微静电马达转子直径分100和120μm两种,膜厚约2μm,定子与转子的空气间隙为2μm。初始测量结果表明该微马达有良好的性能,具有实用化前景。
- 孙曦庆李志坚费圭甫刘理天
- 关键词：微电机硅基集成电路
- 硅微条粒子探测器的研制
- 王勇费圭甫
- 关键词：粒子探测器工艺性能试验
- 超薄SiO_2层的热生长
- 1996年
- 隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。
- 吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：存储器EEPROM半导体工艺超薄
- 掺砷多晶硅的热氧化被引量：1
- 1996年
- 在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验。结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。
- 吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
- 关键词：EEPROM半导体工艺多晶硅热氧化掺杂
- 提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究被引量：2
- 1996年
- 为了提高Ｅ２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压（ＶＰＴ），用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低压区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺可大幅度提高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；
- 吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
- 关键词：数字集成电路存储器E^2PROM
