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吴正立

作品数：57 被引量：8H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...

主题

  • 38篇晶体管
  • 36篇双极晶体管
  • 21篇电阻
  • 20篇发射区
  • 15篇锗硅
  • 15篇发射极
  • 15篇掺杂
  • 14篇多晶
  • 14篇多晶硅
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇嵌入式
  • 13篇异质结
  • 13篇异质结双极晶...
  • 13篇锗硅异质结双...
  • 12篇多晶硅发射区
  • 12篇自对准
  • 10篇电路
  • 10篇晶体管结构
  • 10篇基区电阻
  • 9篇集成电路

机构

  • 56篇清华大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 57篇吴正立
  • 40篇付军
  • 40篇王玉东
  • 40篇崔杰
  • 40篇赵悦
  • 37篇张伟
  • 36篇刘志弘
  • 34篇李高庆
  • 18篇许平
  • 14篇蒋志
  • 10篇王纪民
  • 9篇严利人
  • 7篇费圭甫
  • 6篇王勇
  • 5篇李瑞伟
  • 3篇乔忠林
  • 3篇王美荣
  • 2篇朱从益
  • 2篇朱钧
  • 1篇付玉霞

传媒

  • 10篇微电子学
  • 2篇第九届全国半...
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 11篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 13篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 8篇1996
  • 2篇1995
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器
李志坚杨之廉徐葭生李瑞伟蒋志吴正立周育诚张树红王水弟
“1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器研制”是国家计委和机械电子部在“七五”期间下达的重点科技攻关项目，属于电子工业领域，它涉及发展我国超大规模集成电路(VLSI)所需的工艺技术、设计技术、测试技术和有关专...
关键词：
关键词：超大规模集成电路只读存储器
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，...
付军王玉东吴正立许平崔杰蒋志朱从益赵悦
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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