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蒋志

作品数：37 被引量：22H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 6篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 24篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...

主题

  • 9篇电路
  • 9篇集成电路
  • 8篇噪声
  • 8篇晶体管
  • 7篇光纤
  • 7篇存储器
  • 6篇双极晶体管
  • 6篇相位
  • 6篇半导体
  • 6篇EEPROM
  • 5篇调制
  • 5篇色散
  • 5篇数字集成电路
  • 4篇相位调制
  • 4篇光纤传输
  • 4篇光纤传输系统
  • 4篇发射区
  • 4篇传输系统
  • 4篇N
  • 3篇强度噪声

机构

  • 37篇清华大学

作者

  • 37篇蒋志
  • 14篇吴正立
  • 10篇王纪民
  • 9篇严利人
  • 7篇费圭甫
  • 7篇王玉东
  • 6篇付军
  • 6篇范崇澄
  • 6篇许平
  • 6篇王勇
  • 5篇钱佩信
  • 4篇徐阳
  • 4篇王勇
  • 3篇李瑞伟
  • 3篇乔忠林
  • 3篇朱钧
  • 3篇王水弟
  • 3篇王美荣
  • 2篇张继盛
  • 2篇朱从益

传媒

  • 14篇微电子学
  • 3篇光学学报
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微处理机
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇全国第十次光...
  • 1篇全国第十次光...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇1999
  • 3篇1997
  • 8篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1985
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光纤传输系统色散补偿对噪声的影响
本文利用作者提出的全解析频域传输矩阵,研究了光纤传输系统中色散补偿对强度和相位噪声的影响.分析表明:在强度调制光通信系统中,色散补偿会大大抑制强度噪声在传输过程中受到的非线性放大(如调制不稳定性);而在相位调制光通信系统...
蒋志范崇澄
关键词：强度噪声相位噪声色散补偿信噪比光纤传输系统
文献传递
截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究
介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8...
雒睿张伟李高庆周卫徐阳蒋志李希有付玉霞钱佩信
关键词：锗硅异质结双极晶体管
适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散...
付军张伟严利人王玉东许平蒋志钱佩信
文献传递
硅PIN探测器的应用
该文介绍ＰＩＮ探测器可能应用。着重介绍在无损检测（ＮＤＴ）中应用。从作者做市场调查表明，硅ＰＩＮ探测器有很大潜在市场，市场开发是一项艰巨工作。
张继盛王水弟王勇蒋志
关键词：硅探测器NDT
文献传递网络资源链接
一种2μmp阱CMOS工艺被引量：2
1994年
本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最后给出我们选定的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺方案及主要电学参数。
蒋志王勇华光平
关键词：CMOS技术集成电路
三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，...
付军王玉东吴正立许平崔杰蒋志朱从益赵悦
文献传递
有损非线性色散光纤系统中噪声的演化分析
蒋志
关键词：光纤非线性色散噪声强度调制相位调制
自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的...
付军王玉东徐阳许平蒋志钱佩信
文献传递
用虚拟制造设计低压功率VDMOS被引量：7
2004年
采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。
夏宇王纪民蒋志
关键词：虚拟制造物理参数电性能参数电学特性
应用于EEPROM的超薄SiO_2TDDB特性的研究
1999年
阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。
薛刚吴正立蒋志曾莹朱钧
关键词：半导体工艺EEPROMTDDB
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