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王晓晖

作品数：5 被引量：5H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇场效应
  • 3篇晶体管
  • 3篇MOS
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇MOS场效应...
  • 2篇场效应管
  • 1篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电路模型
  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇阈值电压
  • 1篇膜集成电路
  • 1篇解析模型
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇王晓晖
  • 4篇汤庭鳌
  • 3篇黄宜平
  • 1篇季中妹
  • 1篇李爱珍
  • 1篇汤庭螯
  • 1篇郑大卫
  • 1篇邹斯洵

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1993
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析
1993年
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。
王晓晖汤庭鳌郑大卫黄宜平C.A.Pazde Araujo
关键词：SOI结构MOS场效应管KINK效应
精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取
1996年
给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对１．２μｍＣＭＯＳ工艺ＮＭＯＳ器件的测试及参数提取，并进行模型计算，结果表明理论和实际值符合很好。
王晓晖汤庭鳌
关键词：MOSFET模型MOS场效应晶体管
MOS场效应管的新的电流公式被引量：2
1994年
本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代ＭＯＳ场效应管的电流－电压特性，避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设．所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域．计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应，得到了适用于短沟道ＭＯＳ管的电流公式．
汤庭鳌王晓晖郑大卫
关键词：场效应晶体管MOS
双栅MOS场效应管精确的二维电势分布与V_（th）的解析模型被引量：3
1994年
双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条件，得出ＤＧＭＯＳ体硅的二维电势解析表达式，并由此导出适用于亚微米沟道ＤＧＭＯＳ管阈值电压的解析表达式。阈值电压模型与有关实验数据符合甚好。对于进一步深入探讨ＤＧＭＯＳ管的体反型（ＶｏｌｕｍｅＩｎｖｅｒｓｉｏｎ）效应及其引起的电学特性变化，本模型提供了有效的途径。
王晓晖汤庭鳌黄宜平
关键词：MOS场效应晶体管阈值电压短沟道效应
VLSI/ULSI器件薄膜材料和器件工艺技术
黄宜平李爱珍汤庭螯邹斯洵王晓晖季中妹
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果简介：该成果开发了一种高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术，采用该种技术可以获得3in高质量的SOI材料。该种SOI材料具有许多优点：1、SOI硅膜质量和体硅相当，硅膜一般...
关键词：
关键词：超大规模集成电路薄膜集成电路半导体工艺集成电路工艺VLSI
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