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邹斯洵

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇阴极
  • 1篇生产工艺
  • 1篇剖面
  • 1篇自对准
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇膜集成电路
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇薄膜集成电路
  • 1篇VLSI
  • 1篇VLSI/U...

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇邹斯洵
  • 1篇张敏
  • 1篇吴卫军
  • 1篇李宁
  • 1篇黄维宁
  • 1篇俞波
  • 1篇李炳宗
  • 1篇王晓晖
  • 1篇邵凯
  • 1篇黄宜平
  • 1篇季中妹
  • 1篇李爱珍
  • 1篇汤庭螯
  • 1篇於伟峰
  • 1篇姜国宝

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1996
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
VLSI/ULSI器件薄膜材料和器件工艺技术
黄宜平李爱珍汤庭螯邹斯洵王晓晖季中妹
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果简介：该成果开发了一种高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术，采用该种技术可以获得3in高质量的SOI材料。该种SOI材料具有许多优点：1、SOI硅膜质量和体硅相当，硅膜一般...
关键词：
关键词：超大规模集成电路薄膜集成电路半导体工艺集成电路工艺VLSI
利用阴极覆盖的负载效应改进反应离子刻蚀的剖面
邹斯洵李宁
关键词：微波集成电路生产工艺离子刻蚀
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量：2
1996年
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺中应用这种新型ＳＡＬＩＣＩＤＥ器件结构。提高了ＭＯＳ晶体管和试验电路的性能．
邵凯李炳宗邹斯洵黄维宁吴卫军房华於伟峰姜国宝俞波张敏
关键词：CMOS器件COSI2
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