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於伟峰

作品数:6 被引量:15H指数:3
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇氧化硅
  • 3篇氮氧化硅
  • 2篇PECVD
  • 1篇栅介质
  • 1篇梯度薄膜
  • 1篇梯度材料
  • 1篇锑化铟
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇自对准
  • 1篇介质膜
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇功能梯度
  • 1篇功能梯度材料
  • 1篇共振散射
  • 1篇硅膜
  • 1篇硅栅
  • 1篇红外
  • 1篇红外辐射
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 6篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇於伟峰
  • 4篇李炳宗
  • 2篇黄维宁
  • 2篇包宗明
  • 2篇姜国宝
  • 2篇张伟
  • 1篇亓文杰
  • 1篇张敏
  • 1篇吴卫军
  • 1篇俞波
  • 1篇张勤耀
  • 1篇张翔九
  • 1篇邵凯
  • 1篇顾志光
  • 1篇邹斯洵
  • 1篇陈永平
  • 1篇李孔宁

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇功能材料
  • 1篇红外研究
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1996
  • 2篇1989
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究被引量:1
1996年
本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件研制,试制成功SiGe/Si异质结构PMOS和NMOS实验性器件.
亓文杰於伟峰李炳宗顾志光黄维宁姜国宝张翔九
关键词:MOS器件栅介质SIGE
低功率密度PECVD氮氧化硅薄膜的研究
於伟峰李炳宗李孔宁
关键词:化学汽相沉积硅膜氧化硅红外辐射
PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究被引量:6
1996年
本文研究了PECVD方法制备Si-O-N系梯度薄膜材料,并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Rugate单通带滤波器样品。结果表明,采用PECVD方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料,PECVD方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。
於伟峰张伟汤晓东包宗明
关键词:PECVD氮氧化硅梯度薄膜
利用^4He—O共振散射测量SiOxNy功能梯度薄膜中氧的深度分布被引量:4
1998年
利用4He-O共振散射测量了SiOxNy功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备,所用的反应气体是SiH4(由N2稀释至15%),N2O和NH3。测试结果表明,用作Rugate滤波器涂层样品中的氧元素组份明显呈周期性分布,这为验证涂层折射率在深度方向周期性变化提供了又一重要依据。同时,证实了这一测量方法对膜中轻元素氧的检测是十分有效的。
於伟峰张伟包宗明周筑颖伍怀龙
关键词:功能梯度材料共振散射氮氧化硅
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量:2
1996年
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺中应用这种新型SALICIDE器件结构。提高了MOS晶体管和试验电路的性能.
邵凯李炳宗邹斯洵黄维宁吴卫军房华於伟峰姜国宝俞波张敏
关键词:CMOS器件COSI2
InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究被引量:4
1989年
——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.
於伟峰李炳宗李孔宁陈永平张勤耀龚雅谦
关键词:锑化铟MIS器件氮氧化硅
共1页<1>
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