2024年12月20日
星期五
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
於伟峰
作品数:
6
被引量:15
H指数:3
供职机构:
复旦大学信息科学与工程学院电子工程系
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
理学
更多>>
合作作者
李炳宗
复旦大学信息科学与工程学院电子...
张伟
复旦大学信息科学与工程学院电子...
包宗明
复旦大学信息科学与工程学院电子...
姜国宝
复旦大学
黄维宁
复旦大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
5篇
期刊文章
1篇
会议论文
领域
3篇
电子电信
2篇
理学
主题
4篇
氧化硅
3篇
氮氧化硅
2篇
PECVD
1篇
栅介质
1篇
梯度薄膜
1篇
梯度材料
1篇
锑化铟
1篇
汽相沉积
1篇
自对准
1篇
介质膜
1篇
化学汽相沉积
1篇
功能梯度
1篇
功能梯度材料
1篇
共振散射
1篇
硅膜
1篇
硅栅
1篇
红外
1篇
红外辐射
1篇
硅
1篇
氧
机构
6篇
复旦大学
1篇
中国科学院
作者
6篇
於伟峰
4篇
李炳宗
2篇
黄维宁
2篇
包宗明
2篇
姜国宝
2篇
张伟
1篇
亓文杰
1篇
张敏
1篇
吴卫军
1篇
俞波
1篇
张勤耀
1篇
张翔九
1篇
邵凯
1篇
顾志光
1篇
邹斯洵
1篇
陈永平
1篇
李孔宁
传媒
2篇
Journa...
2篇
功能材料
1篇
红外研究
1篇
中国真空学会...
年份
1篇
1998
3篇
1996
2篇
1989
共
6
条 记 录,以下是 1-6
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究
被引量:1
1996年
本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件研制,试制成功SiGe/Si异质结构PMOS和NMOS实验性器件.
亓文杰
於伟峰
李炳宗
顾志光
黄维宁
姜国宝
张翔九
关键词:
MOS器件
栅介质
SIGE
硅
低功率密度PECVD氮氧化硅薄膜的研究
於伟峰
李炳宗
李孔宁
关键词:
化学汽相沉积
硅膜
氧化硅
红外辐射
PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究
被引量:6
1996年
本文研究了PECVD方法制备Si-O-N系梯度薄膜材料,并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Rugate单通带滤波器样品。结果表明,采用PECVD方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料,PECVD方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。
於伟峰
张伟
汤晓东
包宗明
关键词:
PECVD
氮氧化硅
梯度薄膜
利用^4He—O共振散射测量SiOxNy功能梯度薄膜中氧的深度分布
被引量:4
1998年
利用4He-O共振散射测量了SiOxNy功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备,所用的反应气体是SiH4(由N2稀释至15%),N2O和NH3。测试结果表明,用作Rugate滤波器涂层样品中的氧元素组份明显呈周期性分布,这为验证涂层折射率在深度方向周期性变化提供了又一重要依据。同时,证实了这一测量方法对膜中轻元素氧的检测是十分有效的。
於伟峰
张伟
包宗明
周筑颖
伍怀龙
关键词:
功能梯度材料
共振散射
氮氧化硅
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术
被引量:2
1996年
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺中应用这种新型SALICIDE器件结构。提高了MOS晶体管和试验电路的性能.
邵凯
李炳宗
邹斯洵
黄维宁
吴卫军
房华
於伟峰
姜国宝
俞波
张敏
关键词:
CMOS器件
COSI2
InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究
被引量:4
1989年
——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.
於伟峰
李炳宗
李孔宁
陈永平
张勤耀
龚雅谦
关键词:
锑化铟
MIS器件
氮氧化硅
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张