张伟
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究被引量：6
- 1996年
- 本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。
- 於伟峰张伟汤晓东包宗明
- 关键词：PECVD氮氧化硅梯度薄膜
- 基于频率可调驻波振荡器的芯片时钟系统设计
- 2017年
- 介绍采用基于反型金属氧化物半导体场效应晶体管(IMOS)的变容二极管(varactor)实现频率可调节驻波振荡器的设计结构,通过仿真对比驻波振荡器中可变电容集总式分布和离散式分布对频率调节范围和功耗的影响.在65nm工艺下的仿真结果表明,集总式分布的可变电容可以使驻波振荡器以较小的功耗增长获得更大的频率调节范围,频率调节范围可以达到20%.基于该振荡器提出全局同步芯片、全局异步局部同步芯片中时钟系统设计结构,通过仿真测试这些时钟系统在不同温度波动、电压波动和工艺偏差下的频率变化.仿真结果表明,这些结构可以实现高频时钟在指定芯片区域内的高可靠、可调节传输.
- 张伟胡友德郑立荣
- 关键词：可变电容
- PECVD硅化钛的淀积和性质
- 1989年
- 采用PECVD方法刚淀积出的TiSi_x薄膜,x在0.9～2之间,电阻率大于100μΩ·cm;经650℃以上的高温退火,x变为2,电阻率降至20μΩ·cm左右。采用RBS、AES和XRD等测量方法来分析薄膜的性质。刚淀积的TiSi_x是非晶或微晶结构,退火后存在两种TiSi_2多晶结构。
- 张伟刘德中
- 关键词：PECVD法淀积半导体薄膜
- SiC_xN_y:H薄膜的FTIR研究
- 1991年
- 用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜具有较好的热稳定性。
- 郭慧张伟朱景兵苏诚培邬建根王季陶屈逢源
- 关键词：FTIRPECVD
- PECVD SiC薄膜的AES研究
- 1989年
- 本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。
- 刘德中罗兴华张伟周庆王季陶
- 关键词：化学气相淀积AES非晶碳光学带隙介质薄膜俄歇电子
- 利用^4He—O共振散射测量SiOxNy功能梯度薄膜中氧的深度分布被引量：4
- 1998年
- 利用４Ｈｅ－Ｏ共振散射测量了ＳｉＯｘＮｙ功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备，所用的反应气体是ＳｉＨ４（由Ｎ２稀释至１５％），Ｎ２Ｏ和ＮＨ３。测试结果表明，用作Ｒｕｇａｔｅ滤波器涂层样品中的氧元素组份明显呈周期性分布，这为验证涂层折射率在深度方向周期性变化提供了又一重要依据。同时，证实了这一测量方法对膜中轻元素氧的检测是十分有效的。
- 於伟峰张伟包宗明周筑颖伍怀龙
- 关键词：功能梯度材料共振散射氮氧化硅
- 基准源和温度检测模块设计
- 射频接收机是包含射频、模拟和数字三种类型电路的片上系统。不同类型的电路对基准源性能要求各不相同,射频电路要求基准源提供低噪声的基准电压和电流。随着片上系统的规模不断增大,电源电压的波动对系统性能影响逐渐增大。针对这些问题...
- 张伟
- 关键词：带隙基准电压源电源抑制噪声
- 文献传递
