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罗兴华

作品数：1 被引量：0H指数：0
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇淀积
  • 1篇气相淀积
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇俄歇电子
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶碳
  • 1篇AES

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇周庆
  • 1篇王季陶
  • 1篇罗兴华
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD SiC薄膜的AES研究
1989年
本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。
刘德中罗兴华张伟周庆王季陶
关键词：化学气相淀积AES非晶碳光学带隙介质薄膜俄歇电子
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共1页<1>
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