姜国宝
- 作品数：24 被引量：42H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
- 关键词：铁电体铁电存储器铁电电容
- 快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究被引量：2
- 1992年
- 本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反应形成的薄膜具有择优晶向,表明存在固相外延机制.在 4—300 K范围内,对 CoSi_2薄膜的电学输运性质进行了系统研究,CoSi_2具有正值霍尔系数,表明其具有空穴导电机制.低温载流子霍尔迁移率达到 56 cm^2/V.3。
- 刘平李炳宗姜国宝黄维宁沈孝良R.AitkenK.Daneshvar
- 关键词：固相反应退火
- 应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性被引量：2
- 2002年
- 将 Zr O2 和 PZT的 sol- gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中 ,制作出应用 Al/ PZT/ Zr O2 / p- Si结构的 MFIS电容和单管 MFIS FET,研究了 MFIS电容的界面和存储窗口特性 ,结果表明 Zr O2 介质阻挡层和 Si衬底以及 PZT的附着良好 ,在± 5 V测试电压、1MHz测试频率下 ,存储窗口电压为 2 .6 V左右 ,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为 0 .8.对于宽长比为 5 0 0μm / 5 0μm器件 ,采用栅极与源极、漏极写入方式 ,± 10 V时在写入电压下得到理想的输入 -输出特性 ;小尺寸的 4 0μm/ 8μm器件在± 5
- 颜雷林殷茵汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电存储器铁电薄膜MFISFET
- 铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备被引量：2
- 2003年
- 在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。
- 黄维宁姜国宝林殷茵汤庭鳌
- 关键词：铁电存储器锆钛酸铅铁电电容
- Co与掺杂Si固相反应形成CoSi_2接触pn结及反应过程中As的行为研究被引量：1
- 1993年
- 研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.
- 刘平李炳宗姜国宝黄维宁顾志光
- 关键词：PN结砷离子注入
- ＰｔＳｉ／Ｓｉ和Ｐｔ／Ｓｉ结构中磷注入形成Ｎ＃+[+]Ｐ结
- 姜国宝任洁
- 关键词：P-N结磷离子注入硅化物铂化合物
- 集成铁电电容的制备和研究被引量：1
- 1999年
- 给出了一种在ＣＭＯＳ电路基础上制备集成铁电电容的方法。
- 姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌
- 关键词：铁电薄膜存储器
- 铁电电容的电极结构
- 2000年
- 作为铁电电容的电极材料 ,铂是使用最为广泛的金属。在 PZT薄膜的上下两层分别用离子束溅射淀积厚度为 50 nm和 10 0 nm的 Pt。在铂层上按常规工艺需蒸发 1～ 2 μm的 Al作为布线金属。为避免在热处理过程中的固相反应 ,Al/ Pt之间还需嵌入阻挡金属。观察了 Si,Co,Ni,Ti和 Ti/ W合金膜的阻挡特性。实验证明一定组分的 Ti/ W合金膜能有效地抑制 Al/ Pt固相反应 ,获得较为理想的接触特性。
- 姜国宝黄维宁汤庭鳌
- 关键词：电极固相反应
- SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究被引量：1
- 1996年
- 本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ实验性器件．
- 亓文杰於伟峰李炳宗顾志光黄维宁姜国宝张翔九
- 关键词：MOS器件栅介质SIGE硅
- 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究
- 2000年
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电薄膜半导体材料
