您的位置： 专家智库 > >

邵凯

作品数：2 被引量：3H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇浅结
  • 1篇自对准
  • 1篇固相外延
  • 1篇固相外延生长
  • 1篇N+
  • 1篇N^+
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS器件
  • 1篇COSI2
  • 1篇P

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇黄维宁
  • 2篇李炳宗
  • 2篇邵凯
  • 2篇姜国宝
  • 1篇张敏
  • 1篇房华
  • 1篇吴卫军
  • 1篇吴卫军
  • 1篇俞波
  • 1篇刘平
  • 1篇於伟峰
  • 1篇周祖尧
  • 1篇顾志光
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇邹斯洵

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量：2
1996年
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺中应用这种新型ＳＡＬＩＣＩＤＥ器件结构。提高了ＭＯＳ晶体管和试验电路的性能．
邵凯李炳宗邹斯洵黄维宁吴卫军房华於伟峰姜国宝俞波张敏
关键词：CMOS器件COSI2
固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究被引量：3
1996年
通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级，并表现出优良的击穿特性．
房华李炳宗吴卫军邵凯姜国宝顾志光黄维宁刘平周祖尧朱剑豪
关键词：固相外延生长
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0